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MDPpicts 溫度依賴的光感應電流瞬態(tài)圖譜檢測
Microwave Detected Photo Induced Current Transient Spectroscopy
微波探測的光感應電流瞬態(tài)圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。
靈敏度：對電子缺陷表征的 靈敏度
圖1. 與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)
溫度范圍：液氮(77k)至500k?？蛇x:液氦(4k)或更高溫度衰變常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒污染測定：測量基礎(chǔ)的陷阱能級：陷阱的活化能和俘獲截面，基于溫度和注入的壽命測定重復性：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次彈性：可從不同波長(從365nm到1480nm)選擇不同種類的材料可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠程操作和技術(shù)支持從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。利用這種新型的商用MDPpicts設(shè)備，可以在20~500k范圍內(nèi)測量溫度依賴性的光電導瞬態(tài)。在過去，Si， GaAs， InP， SiC和更多的半導體已經(jīng)成功采用了這種方法進行研究。
圖2. 不同ID的評價
圖3.Arrhenius曲線圖圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜
暫無數(shù)據(jù)！
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