中國粉體網(wǎng)訊 近日,國家知識產(chǎn)權局信息顯示,山東大學取得一項名為“一種基于芬頓反應的堿性氮化鎵拋光液及其制備方法”的專利,能夠有效延長拋光液的有效時長。作為第三代半導體材料,單晶氮化鎵(GaN)憑借高熱傳導率、低能耗、高電子[更多]
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