中國粉體網(wǎng)訊 近年來,以氮化鋁、氧化鎵、金剛石等為代表的第四代超寬禁帶半導體材料逐漸興起,它們具有超寬禁帶、高電壓擊穿場、高熱導率、低熱膨脹系數(shù)以及耐高溫、抗輻射等特性,在紫外探測、芯片制造、高頻大功率電子器件等領(lǐng)域內(nèi)顯示出[更多]
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