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無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備品牌
盛美半導(dǎo)體產(chǎn)地
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工藝過(guò)程低應(yīng)力
低耗材成本COC和運(yùn)營(yíng)成本COO
低排放可保護(hù)環(huán)境
整合了無(wú)應(yīng)力拋光、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法刻蝕、干法刻蝕工藝
電拋光液和濕法刻蝕液可實(shí)時(shí)循環(huán)使用
減少化學(xué)和耗材使用量
設(shè)備尺寸（mm）：4100(長(zhǎng))*2600(寬)*2650(高)
| 序號(hào) | 應(yīng)用 | 描述 | 使用化學(xué) |
| 1 | 雙大馬士革工藝超低K銅互連 | CMP+SFP+Clean+TFE | Slurry,Electrolyte,DHF,Xef2 |
| 2 | 雙大馬士革工藝5nm及以下釕阻擋層互連結(jié)構(gòu) | CMP+SFP+Clean+Wet Etch | Slurry,Electrolyte,Etchant |
| 3 | 晶圓級(jí)封裝 （3D硅通孔，2.5D轉(zhuǎn)接板，再布線，扇出） | CMP+SFP+Clean+Wet Etch | Electrolyte,Slurry,Etchant |
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