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        德國Sentech等離子沉積機SI 500 D
        德國Sentech等離子沉積機SI 500 D

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        深圳市藍星宇電子科技有限公司

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        德國 Sentech等離子沉積機 SI 500 D

        超高密度等離子體

        SI 500d具有特殊的等離子體特性,如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。

        平面等離子體源

        森泰克**的平面三螺旋天線(PTSA)等離子體源允許高效率低功率耦合。

        杰出的沉積特性

        低腐蝕速率、高擊穿電壓、低應力、基體無損傷、界面狀態(tài)密度極低,沉積溫度小于100℃,使沉積薄膜具有優(yōu)異的性能。

        動態(tài)溫度控制

        采用動態(tài)溫度控制的基片電極,結(jié)合He背面冷卻和基片背面溫度傳感,在室溫至+350℃的大范圍溫度范圍內(nèi),提供優(yōu)良的穩(wěn)定工藝條件。

        SI 500d代表了等離子體增強化學氣相沉積介電薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等離子體源,反應氣體分離氣體入口,動態(tài)控溫基片電極,全控真空系統(tǒng),采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)的先進森泰克控制軟件,以及一個非常友好的通用用戶界面來操作SI 500d。

        從直徑200毫米的晶圓片到負載在載體上的各種基板,都可以在SI 500 d中進行加工。

        SI 500d等離子體增強沉積工具可在室溫至350℃范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜。溶液可用來沉積TEOS、SiC和其他具有液體或氣體前驅(qū)體的材料。s500d特別適用于有機材料在低溫下沉積高效的保護屏障,以及在規(guī)定溫度下無損傷沉積鈍化膜。

        森泰科提供不同的自動化水平,從真空盒式磁帶加載到一個過程室,多達六個端口集群,具有不同的沉積和蝕刻模塊,目標是高靈活性或高吞吐量。SI 500d也可以作為集群配置上的進程模塊。

        SI 500 D

        ICPECVD等離子體沉積工具

        與真空loadlock

        高達200毫米晶圓

        襯底溫度從RT到350℃

        激光端點檢測

        可選的襯底偏置

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