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        NIE-4000離子束刻蝕系統(tǒng)
        NIE-4000離子束刻蝕系統(tǒng)

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        美國(guó)

        樣本

        暫無
        深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司

        會(huì)員

        |

        第2年

        |

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        NIE-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)

        NIR-4000 IBE/RIE 雙刻蝕系統(tǒng)

        通過加速的 Ar 離子進(jìn)行物理刻蝕或銑削。對(duì)于硅的化合物也可以通過反應(yīng)離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。通常情況下,樣品表面采用厚膠作掩模,刻蝕期間高能離子流將會(huì)對(duì)基片和光刻膠過加熱,除非找到合適的方法移除熱量,光刻膠將變得昂變得很難以去除。支持百級(jí)超凈間使用。

        NANO-MASTER 擁有成熟的技術(shù)能力可以使基片溫度保持在50°C 以下。通過傾斜和旋轉(zhuǎn),深溝可以切成斜角,通過控制側(cè)壁輪廓和徑向可提高均勻度。對(duì)于大尺寸的基片,我們配置線性離子源,通過掃描的方式,可以實(shí)現(xiàn)均勻的離子束刻蝕或反應(yīng)離子束刻蝕。不同的構(gòu)造不同的應(yīng)用可選擇不同的選配項(xiàng),若要刻蝕之后馬上涂覆,可以增加濺射選項(xiàng)。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的晶圓片,也可選擇自動(dòng)裝載卸載晶圓片。

        工藝過程通過觸摸屏電腦和 LabView 軟件,可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)的 PC控制,具有高度的可重復(fù)性,且具有友好的用戶界面。

        系統(tǒng)具有完整的安全聯(lián)鎖,提供四級(jí)密碼授權(quán)訪問保護(hù),防止使用者越權(quán)使用,含:

        。 操作者權(quán)限:運(yùn)行程序

        。工藝師權(quán)限:添加/編輯和刪除程序

        。工程師權(quán)限:可獨(dú)立控制子系統(tǒng),并開發(fā)程序

        。服務(wù)權(quán)限:NM 工程師故障診斷和排除

        系統(tǒng)支持不限數(shù)量的工藝菜單,每套工藝菜單可根據(jù)需要支持 1到 100 個(gè)工藝工序(步驟),可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單操作完成復(fù)雜的工藝。

        系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)配置包含渦輪分子泵和機(jī)械泵,極限真空可達(dá)到10-7 Torr 量級(jí)(可升級(jí)到 10-8Torr 量級(jí))。分子泵與腔體之間的直連設(shè)計(jì),系統(tǒng)可獲得**真空傳導(dǎo)率,12 小時(shí)達(dá)到腔體極限真空。腔體壓力調(diào)節(jié)通過 PC 自動(dòng)控制渦輪速度而全自動(dòng)調(diào)節(jié),快速穩(wěn)定。雙真空計(jì)配置,可實(shí)現(xiàn)真空的全局測(cè)量和精確測(cè)量。

        對(duì)標(biāo)準(zhǔn)晶圓可支持單片或 25 片 Cassette 的 Auto L/UL 升級(jí),可自動(dòng)進(jìn)樣、對(duì)準(zhǔn)、出樣,在不間斷工藝真空情況下連續(xù)處理樣片。Load Lock 腔體配套獨(dú)立真空系統(tǒng),通過 PC 全自動(dòng)監(jiān)控。

        若離子銑工藝之后需要馬上進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕處理,NMC 技術(shù)可以雙腔體系統(tǒng),在一個(gè)系統(tǒng)的兩個(gè)腔體內(nèi)完成兩種不同的工藝,若加上自動(dòng)傳輸,還可實(shí)現(xiàn)整個(gè)處理過程都不打破彼此真空狀態(tài),實(shí)現(xiàn)非常高效的工藝處理

        典型應(yīng)用:
        。 三族和四族光學(xué)元件
        。激光光柵
        。高深寬比的光子晶體刻蝕
        。在二氧化硅、硅和金屬上深溝刻蝕
        。 微流體傳感器電極及測(cè)熱式微流體傳感器
        設(shè)備特點(diǎn):
        。 24”x60”x10”長(zhǎng)方或 14.5”立方型不銹鋼離子束腔體
        。24”Wx10”H 或 8”測(cè)開門,帶 2 個(gè) 2”觀察視窗
        。支持 600X600mm 的基片(可定做更大尺寸)
        。 倒裝磁控?zé)o柵無燈絲準(zhǔn)直 60cm 線性離子源(離子槍),1500-2500V,并且高達(dá) 1000mA,無需中和器。
        。 離子源均勻性可達(dá)+/-2.5%,操作壓力<1mTorr。與帶柵極離子源相比更可靠,更低維護(hù),更少污染。
        。 離子槍電源:4KV 電源
        。配套 Ar 和 CF4 MFC,支持 IBE 和 RIBE 刻蝕應(yīng)用
        。 反應(yīng)性氣體通過靶槍的長(zhǎng)度方向引入,均勻分布
        。冷卻水冷卻(背氦冷卻可選)
        。 步進(jìn)電機(jī)控制離子槍掃描或樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)/傾斜
        。 手動(dòng)或自動(dòng)(自動(dòng)僅對(duì)標(biāo)準(zhǔn)晶圓)上下載晶圓片
        。 配套 1200L/Sec 渦輪分子泵,串接 2021C2 機(jī)械泵,帶
        Fomblin 泵油
        。 極限真空可達(dá) 7×10-7 Torr
        。下游壓力通過 PC 對(duì)分子泵渦輪速度的控制自動(dòng)調(diào)節(jié)
        。SiN4 磁控濺射保護(hù)被刻蝕金屬表面以防氧化(選配)
        。 基于 LabVIEW 軟件的計(jì)算機(jī)全自動(dòng)工藝控制
        。菜單驅(qū)動(dòng),密碼保護(hù),完全的安全聯(lián)鎖
        。緊湊型設(shè)計(jì),占地面積僅 26”Dx66”W,節(jié)省空間
        系統(tǒng)可選:
        。光譜終點(diǎn)探測(cè)器
        。氦氣背部冷卻
        。更大尺寸的電鍍方形腔體
        。 自動(dòng)裝載/卸載
        。 低溫泵組
        。 附加反應(yīng)氣體質(zhì)量流量控制器
        。 格狀射頻電感耦合等離子體
        。 用于鈍化層沉積的濺射源
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        10分

        易用性

        10分

        性價(jià)比

        10分
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