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牛津ICP等離子沉積機(jī)PlasmaPro 80 ICPCVD

PlasmaPro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實(shí)現(xiàn)高性能工藝。

。直開式設(shè)計(jì)允許快速裝卸晶圓

。出色的刻蝕控制和速率測定

。出色的晶圓溫度均勻性

。晶圓**可達(dá)200mm

。購置成本低

。符合半導(dǎo)體行業(yè) S2 / S8標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用:

· III-V族刻蝕工藝

· 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

· 類金剛石

· 類金剛石（DLC）沉積

· 二氧化硅和石英刻蝕

· 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝，可處理封裝好的芯片， 裸晶片，以及200mm晶圓

· 高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途

· 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕

系統(tǒng)特點(diǎn):

· 小型系統(tǒng)——易于安置

· 優(yōu)化了的電極冷卻——襯底溫度控制

· 高導(dǎo)通的徑向（軸對稱）抽氣結(jié)構(gòu)—— 確保提升了工藝均勻性和速率

· 增加<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

· 近距離耦合渦輪泵——提供優(yōu)越的泵送速度加快氣體的流動速度

· 關(guān)鍵部件容易觸及——系統(tǒng)維護(hù)變得直接簡單

· X20控制系統(tǒng)——大幅提高了數(shù)據(jù)信息恢復(fù)功能， 同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)更快更可重復(fù)的匹配

· 通過前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷——故障診斷速度快

· 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

· 用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測—— 監(jiān)測刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測