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牛津Oxford等離子刻蝕沉積機System 100
該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備。 采用真空進樣室進樣可進行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴大了允許的溫度范圍。
具有工藝靈活性，適用于化合物半導體，光電子學，光子學，微機電系統(tǒng)和微流體技術， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，詳情如下。
主要特點
· 可處理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）預制和試生產的能力
· 選擇單晶片/批處理或盒式進樣，采用真空進樣室。 該PlasmalabSystem100可以集成到一個集群系統(tǒng)中，采用中央機械手傳送晶片，生產工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用一系列的電極進行襯底溫度控制，其溫度范圍為-150 ° C至700° C
· 用于終端檢測的激光干涉和/或光發(fā)射譜可安裝在Plasmalab System100以加強刻蝕控制
· 選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性，并可以放置在遠端，遠離主要工藝設備
工藝
一些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設備的例子：
· 低溫硅刻蝕，深硅刻蝕和SOI工藝，應用于MEMS ，微流體技術和光子技術
· 用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝，通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應用，材料范圍廣泛（InP， InSb， InGaAsP， GaAs， AlGaAs， GaN， AlGaN，等）
· GaN、AlGaN等的預生產和研發(fā)工藝，比如HBLED和其它功率器件的刻蝕
· 高品質，高速率SiO2沉積，應用于光子器件
· 金屬（Nb， W）刻蝕
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移動端
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