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        美國MMR霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)H5000
        美國MMR霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)H5000

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        深圳市藍星宇電子科技有限公司

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        美國MMR 霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng) H5000

        美國 MMR 公司,與斯坦福大學(xué)合作開發(fā)了**的致冷器,其具有世界上*小的震動(埃米級別)、寬控溫范圍(70~730K)及高溫度穩(wěn)定性(0.1K),并將其應(yīng)用在以下測量系統(tǒng),提高了系統(tǒng)的整體性能。 各個系統(tǒng)均采用模塊設(shè)計,客戶可根據(jù)實際要求配置系統(tǒng),也方便日后升級。

        霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)主要用于研究光電材料的電學(xué)特性,利用范德堡測量技術(shù)測量材料在不同溫度、磁場下的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)及載流子類型。整套系統(tǒng)主要包括控制器、樣品室、磁場三部分。

        主要參數(shù):

        1. 樣品固定方式:彈簧探針或引線治具

        2. 溫度:70~730K;80~580K;70~580K;80~730K;室溫~730K(可選)

        3. 磁場:5000Gauss 永磁鐵,5000Gauss 電磁場, 1.4T 電磁場(可選)

        4. 溫度穩(wěn)定度:<=0.1K

        5. 溫度響應(yīng):1K/sec

        6. 致冷片:10X14 mm

        7. 電阻率:10-4~1013 Ohm*cm

        8. 載流子遷移率:1~107 cm2/volt*sec

        9. 載流子濃度:103~1019cm-3

        10. 電流范圍:1 pA~100mA

        11. 電壓范圍:+/-2.4V,*小可測到 6X10-6 V

        12. 電阻范圍:10 m Ohms~ 10G Ohms

        參考客戶: Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD,中科院,深圳大學(xué),華南理工大學(xué),上海光機所,上海微系統(tǒng)所,四川大學(xué),上海交通大學(xué),常州大學(xué),東北大學(xué),廈門大學(xué),新疆理化研究所,北京物理所等。

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