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            SiC外延爐
            SiC外延爐

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            型號

            SiC外延爐

            品牌

            電子科技

            產(chǎn)地

            湖南

            樣本

            暫無
            中國電子科技集團公司第四十八研究所

            高級會員

            |

            第1年

            |

            生產(chǎn)商

            工商已核實

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            • 非金屬電熱元件:

              其他
            • 金屬電熱元件:

              其他
            • 燒結(jié)氣氛:

              其他
            • 溫控精度:

              ±1℃
            • 最高溫度:

              1700℃
            • 額定溫度:

              -
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                  1.晶片尺寸:4”~6”;
              2.**溫度:1700℃;
              3.控溫精度:±1℃;
              4.極限真空:優(yōu)于3Pa;
              5.壓力穩(wěn)定性:100~1000mbar;
              6.反應(yīng)室漏氣率:1E-10Pa·m3/S
              7.工藝氣體:SiH4、C3H8、N2、TMAl ;
              8.載氣:Ar、H2 。

                  1.內(nèi)置式電磁感應(yīng)加熱,升降溫速度快
              2.基片氣浮行星旋轉(zhuǎn)運動,溫度、外延膜均勻性好
              3.三層水平層流送氣,氣流均勻性好
              4.噴淋頭水冷,預(yù)反應(yīng)小
              5.手套箱裝取片 ,反應(yīng)室內(nèi)潔凈度高

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