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Wafer XRD用于全自動晶圓揀選、生產(chǎn)和質(zhì)量控制
特點
適用于3到8寸晶圓。也可根據(jù)要求提供其他尺寸
FOUP、載具或單個晶圓臺
跨槽晶圓識別為可選功能
易于集成到任何工藝生產(chǎn)線中
測量速度:每個樣品<10秒
典型標(biāo)準(zhǔn)偏差(傾斜度):例如Si 100<0.003°
MES和SECS/GEM接口
銅靶微焦點風(fēng)冷X射線光管(**30W)或細(xì)焦點水冷X射線光管(**1.5kW)
完全符合CE標(biāo)準(zhǔn)的安全控制裝置
通過3色燈塔指示狀
材料
Si、SiC、GaAs、GaN、藍(lán)寶石(Al?O?)、Ge、AIN、石英、InP和100s等。
可選插件
電阻率測量范圍:0.01至0.020Ωcm
自動識別晶圓數(shù)據(jù)矩陣碼、二維碼、條形碼或類似代碼
未拋光晶圓和鏡面的距離測量
年產(chǎn)1,000,000片晶圓
暫無數(shù)據(jù)!
隨著動力電池和新能源汽車的需求爆發(fā),鋰電正極材料也正在快速迭代,其中三元材料逐漸成為動力電池的主流選擇。目前三元材料中的鎳鈷錳成分分析多采用ICP分析方法,化學(xué)分析過程相對復(fù)雜、分析時間長、梯度稀釋誤
2021-08-06
展期:2025年3月10日-12日展館:上海世博展覽館 H1 號館地址:上海市?浦東博成路850號展位號:H1-A4262025年3月10日至12日,馬爾文帕納科(Malvern Panalytica
為了更好的服務(wù)于一直以來選擇并支持馬爾文帕納科分析技術(shù)的廣大用戶,除了上述客戶關(guān)懷季的巡檢活動,我們還將在4月奉上一系列服務(wù)日活動:四場分別針對激光粒度儀、納米粒度儀、X射線衍射儀、X射線熒光光譜儀用
近日,馬爾文帕納科(Malvern Panalytical)宣布其最新推出的X射線熒光光儀(XRF)"Revontium 極光"正式接受訂單,并成功在美國High Desert A
本文摘要納米氣泡的粒度表征,受限于其顆粒濃度低、粒徑分布寬等特點,若使用動態(tài)光散射(DLS)技術(shù)進(jìn)行測試,信號弱,數(shù)據(jù)質(zhì)量較差。本文將介紹利用納米顆粒跟蹤(NTA)技術(shù)實現(xiàn)實時、可視化的納米氣泡顆粒表
本文摘要磨料用SiO2 漿料的顆粒粒度對硅晶片的微觀形貌有直接影響,進(jìn)而會影響到后續(xù)工序電介質(zhì)膜的均勻性;此外,漿料的穩(wěn)定性也會影響晶片拋光過程,所以磨料的顆粒表征非常重要,本文介紹了利用動態(tài)光散射技
除了化學(xué)性之外,金屬粉末的物理特性還決定這增材制造的性能,包括粉末的整體特性和單個金屬顆粒的特性。關(guān)鍵的整體特性是指堆積密度和流動性。堆積密度和流動性受顆粒粒度和形狀等形態(tài)特性的影響。本文將介紹顆粒粒