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德國WEP公司的ECV（型號為CVP21）在太陽能光伏行業(yè)的應(yīng)用非常普及，市場占有率甚至達(dá)95%以上，是光伏行業(yè)電池技術(shù)研究和發(fā)展的必要工具之一，幾乎知名的光伏企業(yè)都有使用。

WEP公司的ECV設(shè)備：CVP21（見圖）

1. ECV又名擴(kuò)散濃度測試儀，結(jié)深測試儀等，即電化學(xué)CV法測擴(kuò)散后的載流子濃度分布（見圖）；

2. 相比其他方法如SRP，SIMS等，ECV具有測量使用方便，價格低的優(yōu)點(diǎn)；

WEP公司的ECV具有獨(dú)特技術(shù)可應(yīng)用于測試電池片的絨面樣片，這也是其被廣泛使用的原因之一；

4. CVP21所能測量的深度范圍是nm---10um;

5. 測量的載流子濃度范圍在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之內(nèi)都無需校準(zhǔn)；

6. 測量擴(kuò)散樣片時，樣片是保持“Dry in”和“Dry out”，并無需做特別處理；

7. 其所用到的化學(xué)試劑本地就能買到，價格低且用量很少買一次可以用好幾年；

8. 從CVP21所測得的數(shù)據(jù)能帶給研發(fā)或工藝人員三方面的信息：一是表面濃度，二是濃度變化曲線，三是結(jié)深（見圖）；

9. 表面濃度對于選擇和使用適合的漿料很有幫助，如粘合性，接觸電阻等的匹配問題；

10. 濃度分布曲線對掌握和改進(jìn)擴(kuò)散工藝提供依據(jù)；

11. 結(jié)深的信息對電池工藝的總體把握來說是必須的，也是擴(kuò)散工藝時常需要抽測的項目之一；

12. 參考：測試出的幾種擴(kuò)散濃度分布曲線（見圖）；

13. 廣泛的客戶群：Q-CELL， NREL， ISFH， SHELL，ECN，RWE，HMI，SISE尚德，天合，晶澳，英利，交大泰陽，BYD，海潤，晶科，吉陽，南玻，格林保爾…

儀器簡介：電化學(xué)ECV，摻雜濃度檢測（C-V Profiling）PN結(jié)深測試

電化學(xué)ECV可以用于太陽能電池、LED等產(chǎn)業(yè)，是化合物半導(dǎo)體材料研究或開發(fā)的主要工具之一。電化學(xué)ECV主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開發(fā)，其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來測量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(CV-Profiler， C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。

本設(shè)備適用于在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過程的性能評估和過程控制，可以測試多種不同的材料，例如：硅， 鍺， III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)讓測量半導(dǎo)體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布變得高效、準(zhǔn)確。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制 。

CVP21的系統(tǒng)特點(diǎn)：

*堅固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) ．光學(xué)，電子和化學(xué)部分相對獨(dú)立．

*精確的測量電路模塊

*強(qiáng)力的控制軟件，系統(tǒng)操作，使用簡便

*完善的售后服務(wù)

提供免費(fèi)樣品測試并提供測試報告。

保修期：2年，終身維修。

對用戶承諾終身免費(fèi)樣品測試每月1次。

技術(shù)參數(shù)：

我們在電化學(xué)方分布測試產(chǎn)品方面有超過３０年的經(jīng)驗和世界上***的電路系統(tǒng)。

全自動，特別適用于新材料，如氮化鎵，碳化硅材料等?！?

有效檢測: 外延材料、擴(kuò)散 、離子注入

適用材料: CVP21應(yīng)用范圍寬，可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。

IV族化合物半導(dǎo)體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等;

III-V族化合物半導(dǎo)體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;

三元III-V族化合物半導(dǎo)體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;

四元III-V族化合物半導(dǎo)體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;

氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;

II-VI族化合物半導(dǎo)體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等;

其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測量)。

載流子濃度測量范圍:

*** 1021/cm3； *小 1011/cm3

深度解析度: **無上限；*小可至1 nm （或更低）

模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu): 拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu)，實時監(jiān)控腐蝕過程，適于微小樣品及大尺寸的晶圓，全自動化系統(tǒng)。

主要特點(diǎn)：

CVP21電化學(xué)ECV是半導(dǎo)體載流子濃度分布**的解決方案：

1， CVP21應(yīng)用范圍寬，可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。

* IV族化合物半導(dǎo)體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等;

* III-V族化合物半導(dǎo)體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;

* 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;

* 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;

* 氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;

* II-VI族化合物半導(dǎo)體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等;

* 其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測量)。

2， CVP21可用于不同形態(tài)的樣品：多層結(jié)構(gòu)的薄膜材料、基底沒有限制(基底導(dǎo)電或絕緣均可)、標(biāo)準(zhǔn)樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請預(yù)先咨詢我們)。

3， CVP21擁有很好的分辨率范圍。

* 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3

* 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質(zhì)量決定)

4， CVP21是一套完整的電化學(xué)ECV測量系統(tǒng)。

* 系統(tǒng)可靠性高(儀器的電子、機(jī)械、光學(xué)、液體傳動幾個主要部分均經(jīng)特殊設(shè)計)

* 免校準(zhǔn)的系統(tǒng)(完全自校準(zhǔn)的電子系統(tǒng)，電纜電容均無須用戶再次校準(zhǔn))

* 易于使用(全用戶管理軟件優(yōu)化，在實驗室環(huán)境或生產(chǎn)環(huán)境均易于使用)

* 照相機(jī)鏡頭控制(過程在線由彩色照相機(jī)鏡頭控制；每次測量后，鏡頭數(shù)據(jù)均可取出。)

* 實驗菜單(測量菜單預(yù)定義，優(yōu)先權(quán)用戶可以很容易修改或改進(jìn)測量菜單)

* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學(xué)樣品池自動裝載/卸載/再裝載，優(yōu)先權(quán)用戶易于修改，進(jìn)行樣品dry-in/dry-out處理。)

全自動電化學(xué)CV分布儀 CVP21光伏太陽能領(lǐng)域的**! 眾多科研和半導(dǎo)體領(lǐng)域用戶的的**!

賽倫科技（Saratoga Technology International） 為中國全自動電化學(xué)CV分布儀光伏太陽能領(lǐng)域知名代理商！服務(wù)眾多知名光伏企業(yè)！

本設(shè)備適用于評估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上，　例如：Silicon， Germanium， III-V including III-Nitrides.

CVP21的凈室和模塊化的系統(tǒng)設(shè)計結(jié)構(gòu)使得本系統(tǒng)可以高效率，準(zhǔn)確的測量半導(dǎo)體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布．選用合適的電解液與材料接觸，腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制

CVP21的系統(tǒng)特點(diǎn)

- 堅固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) ．光學(xué)，電子和化學(xué)部分相對獨(dú)立．

- 精確的測量電路模塊

- 強(qiáng)力的控制軟件，系統(tǒng)操作，使用簡便

- 完善的售后服務(wù)

全自動，　特別適用于新材料，　如氮化鎵，　碳化硅材料，多晶硅等等?！?/strong>

有效檢測:

• - 外延材料

• - 擴(kuò)散

• - 離子注入

適用材料:CVP21應(yīng)用范圍寬，可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。

• IV族化合物半導(dǎo)體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…

• III-V族化合物半導(dǎo)體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…

• 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…

• 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…

• 氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…

• II-VI族化合物半導(dǎo)體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…

• 其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測量)。

載流子濃度測量范圍:

• - ** 10²¹/cm3

• ?*小 10¹¹/cm3

深度解析度:

• - **無上限

• - *小可至1 nm （或更低）

模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu):

• - 拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu)

• - 實時監(jiān)控腐蝕過程

• - 適于微小樣品及大尺寸的晶圓

全自動化系統(tǒng):

- 精密的電路，電子系統(tǒng)

- 強(qiáng)力的軟件