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        氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式
        氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式

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        面議

        型號(hào)

        氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備 臥式

        品牌

        山東力冠

        產(chǎn)地

        山東

        樣本

        暫無
        山東力冠微電子裝備有限公司

        高級(jí)會(huì)員

        |

        第1年

        |

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        產(chǎn)品概述/Product Introduction:

        ? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng)

        Used for the growth of gllium nitride (GaN) single crystal

        ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(zhǎng)

        Used for the epitaxial growth of gallium oxide (Ga?O?), aluminum nitride (AIN), indium. phosphide (InP) and gallium arsenide (GaAs)

         


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        售后服務(wù)

        10分

        易用性

        10分

        性價(jià)比

        10分
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