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金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)(MOCVD)
產(chǎn)地：法國AS；
科研型MOCVD設備，也稱為MOVPE，包含了**的液體直接注入工藝，同一腔室完成沉積和退火。
- 更低的設備及使用成本、更少的前驅(qū)體源使用、更小的腔體尺寸、跟高的薄膜沉積品質(zhì)！
- 非常適合高校及研究所科研使用！
應用：- 金屬及合金， 氧化物， 氮化物， III-V， II-VI，...
- 半導體: SiO2， HfO2， Ta2O5， Cu， TiN， TaN， ...
- 氮化物及合金: GaN， AlN， GaAs， GaAsN...
- 高介電材料: SrTiO3， BaTiO3， Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...
- 鐵電材料: SBT， SBTN， PLZT， PZT，…
- 超導材料: YBCO， Bi-2223， Bi-2212， Tl-1223， …
- 壓電材料: (Pb， Sr)(Zr，Ti)O3， 改性鈦酸鉛...
- 金屬: Pt， Cu，...
- 巨磁阻材料...
- 熱涂層， 阻擋層， 機械涂層， 光學材料...
- 其他…
儀器參數(shù)：1/ 1~8英寸MOCVD系統(tǒng)；
2/ 專為滿足科研單位需求而設計；
3/ MC050 MOCVD系統(tǒng)可在不同基底上，以MOCVD方式，在固體、液體有機金屬基源上沉積氧化物、氮化物、金屬、III-V 和 II-VI膜層；
4/ MC050 MOCVD配有前驅(qū)體直接處理單元，可在大范圍內(nèi)使用MO源，用于外延材料的研發(fā)和制備；
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統(tǒng)可實現(xiàn)在線退火工藝；
性能及特點：1/ 溫度范圍: 室溫至1200°C ；
2/ 帶質(zhì)量流量控制器的氣體混合性能；
3/ 真空范圍: ~ 10-3 Torr，可選配高真空；
4/ 選配手套箱；
暫無數(shù)據(jù)！
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