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V-sorb 2800P品牌
金埃譜產(chǎn)地
中國樣本
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全自動靜態(tài)容量法活性氧化鋁孔徑分布分析比表面積測試儀性能參數(shù)
測試方法及功能:氮吸附真空容量法(真空靜態(tài)法),吸附及脫附等溫線測定,BJH總孔體積及孔徑孔隙度測試,樣品真密度測定,t-plot圖法微孔分析,MP法微孔分析,HK法微孔分析,BET法比表面積測定(單點及多點),Langmuir法比表面積測定,平均粒徑估算,t-plot圖法外比表面積測定;
測定范圍:0.01(㎡/g)--至無上限(比表面積),0.35nm-500nm(孔徑);
測量精度:重復(fù)性誤差小于1.5%;
真空系統(tǒng):V-Sorb**的集裝式管路及電磁閥控制系統(tǒng),大大減小管路死體積空間,提高檢測吸附氣體微量變化的靈敏度,從而提高孔徑孔隙度測試的分辨率;同時集裝式管路減少了連接點,大大提高密封性和儀器使用壽命;
液位控制:V-Sorb**的液氮面控制系統(tǒng),確保測試全程液氮面相對樣品管位置保持不變,徹底消除因死體積變化引入的測量誤差;
控制系統(tǒng):采用可編程控制器電磁閥控制系統(tǒng),高集成度和抗干擾能力,提高儀器穩(wěn)定性和使用壽命;
樣品數(shù)量:同時進行2個樣品分析和2個樣品脫氣處理;
壓力測量:采用壓力分段測量的進口雙壓力傳感器,顯著提高低 P/Po點下測試精度,0-1000Torr(0-133Kpa),0-10Torr(0-1.33Kpa);
壓力精度:進口硅薄膜壓力傳感器,精度達實際讀數(shù)的0.15%,優(yōu)于全量程的0.15%,遠高于皮拉尼電阻真空計精度(一般誤差為10%-15%);
分壓范圍:P/Po 準確可控范圍達5x10-6-0.995;
極限真空:4x10-2Pa(3x10-4Torr);
樣品類型:粉末,顆粒,纖維及片狀材料等;
測試氣體:高純N2氣(99.999%)或其它(按需選擇如Ar,Kr);
數(shù)據(jù)采集:高精度及高集成度數(shù)據(jù)采集模塊,誤差小,抗干擾能力強;
數(shù)據(jù)處理:Windows兼容數(shù)據(jù)處理軟件,功能完善,操作簡單,多種模式數(shù)據(jù)分析,圖形化數(shù)據(jù)分析結(jié)果報表.
北京金埃譜科技是北京市高新技術(shù)企業(yè),位于我國**的高校云集,中科院研究院所匯聚的北京高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)區(qū)-中關(guān)村.公司起源和服務(wù)于中國兵器系統(tǒng)行業(yè),依托當?shù)厝瞬刨Y源和兵器系統(tǒng)技術(shù)優(yōu)勢,致力于科學(xué)分析儀器的研發(fā),生產(chǎn)及銷售.以創(chuàng)立兵器和民用行業(yè)國有知名品牌為發(fā)展宗旨,通過與兵器系統(tǒng)密切合作,同時借鑒國外先進技術(shù),研發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的自動化及智能化檢測儀器,為我國科研單位及生產(chǎn)企業(yè)提供與國際產(chǎn)品接軌,高可靠性,高性價比的一流科研設(shè)備.目前主要產(chǎn)品有V-Sorb X800 Series系列全自動智能BET法比表面積測定微孔結(jié)構(gòu)分布總孔體積孔隙度分析儀;F-Sorb X400系列4站BET比表面積測試及BJH介孔徑分布孔容孔隙率測量儀;H-Sorb X600系列全自動高溫高壓氣體吸附分析儀; G-DenPyc X900系列全自動真密度測定分析儀.
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摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,因為具有良好的抗粘性、增流性和潤滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤滑劑,比表面積對硬脂酸鎂有很大的影響,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特點,被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、汽車工業(yè)、紡織、化工、航空航天等國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
4月1日,由湖南大學(xué)分析測試中心與國儀量子聯(lián)合主辦,深圳速普儀器有限公司、長沙凱普樂科技有限責(zé)任公司協(xié)辦的“國儀電鏡論壇暨湖南大學(xué)電子顯微技術(shù)交流會”在湖南大學(xué)分析測試中心成功舉行。本次會議吸引了湖南
引言 為更好地激勵在科研領(lǐng)域辛勤探索、努力拼搏的科研工作者,同時助力光探測磁共振事業(yè)發(fā)展,國儀量子決定對使用本公司ODMR系列產(chǎn)品,發(fā)表高水平學(xué)術(shù)文章的科研工作者給予現(xiàn)金獎勵。2025年OD
國儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié)。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,對芯片的性能
國儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測的應(yīng)用報告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號傳輸與芯片功能實現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時,Al 互連導(dǎo)線
國儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應(yīng)用報告一、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護鎧甲”,覆蓋在芯片表面,隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機械應(yīng)力等不利