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德國Sentech 集成多腔等離子刻蝕和沉積機
高產(chǎn)量
等離子蝕刻和沉積腔體可以與多達兩個片盒站組合，用于到200 mm晶片的高產(chǎn)量工藝。
研發(fā)
三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統(tǒng)、PECVD和ICPECVD沉積設(shè)備，以滿足研發(fā)的要求。樣品可以通過預(yù)真空室和/或真空片盒站加載。
SENTECH多腔系統(tǒng)包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預(yù)真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂，可適用于三至六個端口?？梢允褂枚噙_兩個片盒站來增加產(chǎn)量。傳送腔室可以配備多種選擇。
用于研發(fā)的SENTECH多腔系統(tǒng)通過圖形用戶界面控制軟件操作。強大的控制軟件可用于工業(yè)領(lǐng)域高產(chǎn)量的多腔系統(tǒng)。
高產(chǎn)量的多腔系統(tǒng)
ICP-RIE等離子刻蝕腔體可與兩個片盒站組合用于200mm晶片的高產(chǎn)量并行工藝。
用于研發(fā)的多腔系統(tǒng)
ICP-RIE，RIE，PECVD和ICPECVD等腔體可與預(yù)真空室，片盒站等組合使用，以滿足研發(fā)的特殊要求。
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