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        大塚電子(蘇州)有限公司
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        產(chǎn)品詳情
        嵌入式膜厚儀FE-5000
        嵌入式膜厚儀FE-5000的圖片
        參考報價:
        面議
        品牌:
        大塚電子
        關(guān)注度:
        3466
        樣本:
        暫無
        型號:
        FE-5000
        產(chǎn)地:
        江蘇
        信息完整度:
        典型用戶:
        暫無
        索取資料及報價
        認(rèn)證信息
        高級會員 第 2
        名 稱:大塚電子(蘇州)有限公司
        認(rèn) 證:工商信息已核實
        訪問量:144812
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        產(chǎn)品分類
        公司品牌
        品牌傳達(dá)企業(yè)理念
        產(chǎn)品簡介

        特點

        • 可在紫外和可見(250至800nm)波長區(qū)域中測量橢圓參數(shù)

        • 可分析納米級多層薄膜的厚度

        • 可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜

        • 通過可變反射角測量,可詳細(xì)分析薄膜

        • 通過創(chuàng)建光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊功能,增強操作便利性

        • 通過層膜貼合分析的光學(xué)常數(shù)測量可控制膜厚度/膜質(zhì)量

        測量項目

        • 測量橢圓參數(shù)(TANψ,COSΔ)

        • 光學(xué)常數(shù)(n:折射率,k:消光系數(shù))分析

        • 薄膜厚度分析

        用途

        • 半導(dǎo)體晶圓
          柵氧化膜,氮化膜
          SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN
          光學(xué)常數(shù)(波長色散)

        • 復(fù)合半導(dǎo)體
          AlxGa(1-x)多層膜、非晶硅

        • FPD
          取向膜
          等離子顯示器用ITO、MgO等

        • 各種新材料
          DLC(類金剛石碳)、超導(dǎo)薄膜、磁頭薄膜

        • 光學(xué)薄膜
          TiO2,SiO2多層膜、防反射膜、反射膜

        • 光刻領(lǐng)域
          g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)和KrF(248nm)等波長的n、k評估

         原理

         包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上,對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化,可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù),即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。

        產(chǎn)品規(guī)格

        型號FE-5000SFE-5000
        測量樣品反射測量樣品
        樣品尺寸100x100毫米200x200毫米
        測量方法旋轉(zhuǎn)分析儀方法*1
        測量膜厚范圍(ND)0.1納米-
        入射(反射)的角度范圍45至90°45至90°
        入射(反射)的角度驅(qū)動方式自動標(biāo)志桿驅(qū)動方法
        入射點直徑*2關(guān)于φ2.0關(guān)于φ1.2sup*3
        tanψ測量精度±0.01以下
        cosΔ測量精度±0.01以下
        薄膜厚度的可重復(fù)性0.01%以下*4
        測定波長范圍*5300至800納米250至800納米
        光譜檢測器多色儀(PDA,CCD)
        測量用光源高穩(wěn)定性氙燈*6
        平臺驅(qū)動方式手動手動/自動
        裝載機兼容不可
        尺寸,重量650(W)×400(D)×560(H)mm
             約50公斤
        1300(W)×900(D)×1750(H)mm
             約350公斤*7
        軟件
        分析*小二乘薄膜分析(折射率模型函數(shù),Cauchy色散方程模型方程,nk-Cauchy色散模型分析等)
             理論方程分析(體表面nk分析,角度依賴同時分析)

        *1可以驅(qū)動偏振器,可以分離不感帶有效的位相板。
        *2取決于短軸?角度。
        *3對應(yīng)微小點(可選)
        *4它是使用VLSI標(biāo)準(zhǔn)SiO2膜(100nm)時的值。
        *5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇。
        *6光源因測量波長而異。
        *7選擇自動平臺時的值。

        測量示例

        以梯度模型分析ITO結(jié)構(gòu)[FE-0006]

        作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO(氧化銦錫),在成膜后的退火處理(熱處理)可改善其導(dǎo)電性和色調(diào)。此時,氧氣狀態(tài)和結(jié)晶度也發(fā)生變化,但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的,不能將其視為具有光學(xué)均勻組成的單層膜。
        以下介紹對于這種類型的ITO,通過使用梯度模型,從上界面和下界面的nk測量斜率。

         FE5_m_01.jpg

        FE5_m_02.jpg

        考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]

        當(dāng)樣品表面存在粗糙度(Roughness)時,將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。

         APP8-1.jpg

        APP8-2.jpg

        使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]

        有機EL材料易受氧氣和水分的影響,并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。

         APP11-1.jpg

        APP11-2.jpg

        使用多點相同分析測量未知的超薄nk[FE-0014]

        為了通過擬合*小二乘法來分析膜厚度值(d)需要材料nk。如果nk未知,則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而,在d為100nm或更小的超薄膜的情況下,d和nk是無法分離的,因此精度將降低并且將無法求出精確的d。在這種情況下,測量不同d的多個樣本,假設(shè)nk是相同的,并進行同時分析(多點相同分析),則可以高精度、精確地求出nk和d。

        APP14-1.jpg

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