隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的革新速度也進(jìn)一步加快。當(dāng)前，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，在新能源汽車、光伏、儲能等新興領(lǐng)域正快速滲透，已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點。同時，我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點支持領(lǐng)域，碳化硅半導(dǎo)體將在我國5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。         

要充分實現(xiàn)碳化硅功率器件優(yōu)異的性能，第一步是生長出高質(zhì)量單晶。而碳化硅的本身特性決定了其單晶生長難度較大——不能采用目前半導(dǎo)體工業(yè)主流所采用的生長工藝較成熟的生長法——直拉法、降坩堝法等方法進(jìn)行生長。在當(dāng)前倡導(dǎo)節(jié)能減排的大趨勢下，快速穩(wěn)定地突破碳化硅單晶尺寸和質(zhì)量等關(guān)鍵問題，才能夠更好地占據(jù)未來碳化硅市場。

從2025屆第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長技術(shù)交流會組委會獲悉，本屆會議將于2025年8月21日在江蘇蘇州舉辦。山西爍科晶體有限公司作為參展單位邀請您共同出席。

山西爍科晶體有限公司是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)。公司通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)全面掌握了碳化硅生長裝備制造、高純碳化硅粉料制備工藝，N型碳化硅單晶襯底和高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了碳化硅粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。并在國內(nèi)率先完成4、6、8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，一舉突破國外對我國碳化硅晶體生長技術(shù)的長期封鎖，是目前國內(nèi)率先實現(xiàn)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈自主可控的碳化硅材料供應(yīng)商。

產(chǎn)品介紹

1、碳化硅單晶生長爐

產(chǎn)品簡介

碳化硅單晶生長爐主要應(yīng)用于生長6英寸N型及半絕緣碳化硅單晶襯底。碳化硅單晶具有高熱導(dǎo)率、高化學(xué)穩(wěn)定性、低熱膨脹、高飽和電子漂移率等優(yōu)點，在白光高效照明、電力輸送與轉(zhuǎn)換、耐高溫電力電子器件等民用領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，同時在雷達(dá)通訊、航空母艦、艦舶等軍事領(lǐng)域可提高軍事電子系統(tǒng)和武器裝備的性能，有著明確應(yīng)用背景。

2、N型導(dǎo)電型碳化硅晶片

產(chǎn)品簡介

6英寸N型碳化硅襯底主要應(yīng)用于新能源汽車、高壓輸變電站、白色家電、高速列車、電機(jī)、光伏逆變、脈沖電源等領(lǐng)域，具有降低設(shè)備能量損耗、提升設(shè)備可靠性、縮小設(shè)備體積、提升設(shè)備性能等優(yōu)勢，在制作電力電子器件方面有著不可替代的優(yōu)勢。

6英寸N型碳化硅襯底主要應(yīng)用于新能源汽車、高壓輸變電站、白色家電、高速列車、電機(jī)、光伏逆變、脈沖電源等領(lǐng)域，具有降低設(shè)備能量損耗、提升設(shè)備可靠性、縮小設(shè)備體積、提升設(shè)備性能等優(yōu)勢，在制作電力電子器件方面有著不可替代的優(yōu)勢。

6英寸N型碳化硅襯底主要應(yīng)用于新能源汽車、高壓輸變電站、白色家電、高速列車、電機(jī)、光伏逆變、脈沖電源等領(lǐng)域，具有降低設(shè)備能量損耗、提升設(shè)備可靠性、縮小設(shè)備體積、提升設(shè)備性能等優(yōu)勢，在制作電力電子器件方面有著不可替代的優(yōu)勢。

3、莫桑原石

半絕緣碳化硅晶體無色透明，亮度、火彩以及光澤度參數(shù)性能指標(biāo)均優(yōu)于鉆石，硬度僅次于鉆石，因此半絕緣型碳化硅晶體具有寶石飾品的屬性，可采用碳化硅晶體加工成寶石飾品 “莫桑鉆”。

會務(wù)組

聯(lián)系人：段經(jīng)理

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