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        “雙高”氮化鋁陶瓷基板制備新方法!


        來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   空青

        [導(dǎo)讀]  旭光電子子公司成都旭瓷新材料有限公司最新獲發(fā)“一種氮化鋁陶瓷燒結(jié)體及其制備方法和氮化鋁陶瓷基板”發(fā)明專利。

        中國(guó)粉體網(wǎng)訊  2024年7月,旭光電子子公司成都旭瓷新材料有限公司最新獲發(fā)“一種氮化鋁陶瓷燒結(jié)體及其制備方法和氮化鋁陶瓷基板”發(fā)明專利。本發(fā)明提供了一種氮化鋁陶瓷燒結(jié)體,通過(guò)該氮化鋁陶瓷燒結(jié)體制備的氮化鋁陶瓷基板兼具高熱導(dǎo)率和高抗彎強(qiáng)度,其中,抗彎強(qiáng)度大于500MPa,高于現(xiàn)有的氮化鋁陶瓷產(chǎn)品。



        燒結(jié)——氮化鋁陶瓷基板實(shí)現(xiàn)“雙高”的關(guān)鍵


        在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)于氮化鋁陶瓷基板除了要求具有高熱導(dǎo)率、高電絕緣性能外,很多領(lǐng)域還要求氮化鋁陶瓷具有高抗彎強(qiáng)度。目前市面流通的氮化鋁三點(diǎn)抗彎強(qiáng)度通常為400~500MPa,嚴(yán)重限制了氮化鋁陶瓷基板的推廣應(yīng)用,尤其是對(duì)可靠度要求較高的IGBT功率器件領(lǐng)域。由于AlN材料制作工藝比較復(fù)雜,生產(chǎn)成本較高,目前大部分國(guó)產(chǎn)AlN材料尚達(dá)不到高導(dǎo)熱、高強(qiáng)度的應(yīng)用要求。


        在氮化鋁陶瓷基板制備中,選對(duì)燒結(jié)方式及燒結(jié)助劑往往事半功倍,制備中引入燒結(jié)助劑是目前氮化鋁陶瓷燒結(jié)普遍采用的一種方法。一方面是形成低溫共熔相,實(shí)現(xiàn)液相燒結(jié),促進(jìn)坯體致密化;另一方面是去除氮化鋁中的氧雜質(zhì),完善晶格,提高熱導(dǎo)率。目前,燒結(jié)AlN陶瓷使用的燒結(jié)助劑主要有Y2O3、CaO、Yb2O3、Sm2O3、Li2O3、B2O3、CaF2、YF3、CaC2等或它們的混合物。


        旭瓷新材提供一種氮化鋁陶瓷燒結(jié)體,該燒結(jié)體以Li2O、CaF2和Y2O3的復(fù)合燒結(jié)助劑作為氮化鋁陶瓷燒結(jié)體的助劑,能夠促進(jìn)氮化鋁陶瓷燒結(jié)過(guò)程的致密化,提高抗彎強(qiáng)度;通過(guò)減少氧元素的引入以及將Al2O3固結(jié)在晶界上終促進(jìn)陶瓷的燒結(jié)并提高熱導(dǎo)率,使制備的氮化鋁陶瓷基板兼具高熱導(dǎo)率和高抗彎強(qiáng)度。


        在氮化鋁陶瓷燒結(jié)體配方體系中,當(dāng)Y2O3高于3.5wt%時(shí),燒結(jié)過(guò)程中Y-Al-O含量明顯增多且成團(tuán)聚集,由于Y3Al5O12熱導(dǎo)率低(約9 W/(m·K)),嚴(yán)重影響燒結(jié)后氮化鋁陶瓷產(chǎn)品的熱導(dǎo)率。當(dāng)CaF2以及Li2O含量高于1.33wt%時(shí),由于氟化物和含鋰化合物的揮發(fā),燒結(jié)過(guò)程中增加了氮化鋁陶瓷燒結(jié)體的氣孔率,降低了陶瓷致密程度,從而導(dǎo)致燒結(jié)后氮化鋁陶瓷產(chǎn)品的抗彎強(qiáng)度急劇下降。而各添加劑小于最小值時(shí),無(wú)法起到增強(qiáng)力學(xué)性能的效果或效果微乎其微。



        旭瓷新材的制備方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,以氮化鋁純粉計(jì),含Y化合物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1.33 ~ 3.5wt%,含Ca化合物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.4 ~ 1.33wt%,含Li化合物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1 ~ 1.33wt%時(shí),能夠使制備的氮化鋁陶瓷產(chǎn)品的抗彎強(qiáng)度和熱導(dǎo)率快速提升。然后通過(guò)微波燒結(jié)可明顯降低氮化鋁陶瓷的燒結(jié)溫度,提高致密程度,減少氣孔率,解決現(xiàn)有氮化鋁陶瓷燒結(jié)體抗彎強(qiáng)度不高,難以應(yīng)用于高強(qiáng)度領(lǐng)域需求的問(wèn)題,使制備的氮化鋁陶瓷基板兼具高熱導(dǎo)率和高抗彎強(qiáng)度。


        氮化鋁陶瓷基板市場(chǎng)需求大


        氮化鋁陶瓷因出色的熱導(dǎo)性和電絕緣性成為新一代散熱基板和電子器件封裝的理想材料,已經(jīng)在多個(gè)民用和軍用領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在5G、新能源汽車以及人工智能來(lái)臨的大時(shí)代,上下游一體化布局成為氮化鋁陶瓷基板企業(yè)提升競(jìng)爭(zhēng)力的理性選擇。根據(jù)Maxmize Market Research數(shù)據(jù),2021年全球陶瓷基板市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到65.9億美元,預(yù)計(jì)2029年全球規(guī)模將達(dá)到109.6億美元,年均增長(zhǎng)率約6.57%。


        氮化鋁作為陶瓷基板的理想材料市場(chǎng)廣闊,不同產(chǎn)品類型應(yīng)對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景需求,其中以AMB、DBC、DPC、HTCC和結(jié)構(gòu)件為主要產(chǎn)品類型。DPC受大功率LED市場(chǎng)青睞,AMB、DBC借IGBT之風(fēng),伴隨新能源與電動(dòng)車領(lǐng)域發(fā)展迅猛;HTCC因射頻、軍工領(lǐng)域拉動(dòng)需求增長(zhǎng);氮化鋁需求將持續(xù)受益于高速增長(zhǎng)的半導(dǎo)體與新能源市場(chǎng)。


        來(lái)源:國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局、成都旭光電子官微、中國(guó)粉體網(wǎng)


        (中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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        作者:空青

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