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晶圓光刻膠是半導(dǎo)體制造光刻工藝中*關(guān)鍵的材料。在光刻過程中，光刻膠經(jīng)涂膜，前烘，曝光，后烘，顯影等步驟后可將電路圖形由掩模版轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過刻蝕工藝，實(shí)現(xiàn)電路圖形由光刻膠轉(zhuǎn)移到硅片上。隨著集成電路線寬縮小、集成度的提升，光刻膠開發(fā)技術(shù)難度大幅增加，成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵技術(shù)之一。
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