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該設(shè)備用于硅晶圓及碳化硅、氮化鎵等第三代半導體內(nèi)部改質(zhì)切割工藝，以其先進的智能系統(tǒng)確保產(chǎn)品加工的品質(zhì)與效率。

設(shè)備優(yōu)勢

• 01

  配備高精度的晶圓表面高度追蹤及補償系統(tǒng)，采用快速步進移動方式，加減速時間段X/Y軸同時配合，無需將速度降至0即可完成切割道更換，提升作業(yè)效率

• 02

  配備光斑整型及補償功能，使用SLM技術(shù)進行激光調(diào)制，通過相位補償，使激光更加聚焦，提升加工效率和品質(zhì)

  
  

基本信息

• 1. 適用產(chǎn)品：4~12inch 硅晶圓及碳化硅、氮化鎵等第三代半導體

• 2. 激光器：定制高精度、高穩(wěn)定性紅外激光器

• 3. 切割速度：0-1000mm/s

• 4. 加工方式：全自動