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        Elionix離子束刻蝕系統(tǒng)
        Elionix離子束刻蝕系統(tǒng)

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        面議

        型號(hào)

        品牌

        產(chǎn)地

        日本

        樣本

        暫無(wú)
        上海納騰儀器有限公司

        會(huì)員

        |

        第2年

        |

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        產(chǎn)品名稱:離子束刻蝕系統(tǒng)

        品牌:Elionix

        型號(hào):EIS-200

        關(guān)鍵詞標(biāo)簽:離子束蝕刻,干法蝕刻,離子束轟擊,離子束減薄

        簡(jiǎn)短描述:(<40字):利用ECR技術(shù)產(chǎn)生高能Ar+離子束,Ar+離子束通過(guò)電場(chǎng)加速,對(duì)樣品進(jìn)行物理的轟擊達(dá)到刻蝕作用。

        一、簡(jiǎn)介

        EIS-200Elionix推出的一款基于電子回旋共振技術(shù)(ECR)的小型離子束蝕刻系統(tǒng),特別適合于科研用離子束刻蝕、減薄,清洗、鍍膜等。

        EIS-200原理:

        利用ECR技術(shù)產(chǎn)生高能Ar+離子束,Ar+離子束通過(guò)電場(chǎng)加速到達(dá)樣品表面,對(duì)樣品進(jìn)行物理的轟擊達(dá)到刻蝕作用。

        EIS-200具有以下優(yōu)點(diǎn):

        ?方向性好,各向異性,陡直度高,側(cè)向刻蝕少

        ?分辨率高

        ?不受刻蝕材料限制,可對(duì)石英等材料進(jìn)行蝕刻

        ?可控制蝕刻Taper

        ?可以設(shè)定多樣的實(shí)驗(yàn)條件

        二、主要功能

        l主要應(yīng)用

        納米級(jí)圖案刻蝕

        高深寬比蝕刻

        表面清潔

        離子減薄

        l技術(shù)能力

        離子槍

        ECR型離子槍

        離子化氣體

        Ar、Xe等、惰性離子氣體

        N2、O2、CF4等、活性離子氣體

        加速電壓

        100V3000V 連續(xù)可變(高加速電壓可選) (輸出電流20mA MAX)

        離子束流密度

        Ar:1.5mA/cm2以上 (2kV加速時(shí))

        O2:2.0mA/cm2以上 (2kV加速時(shí))

        離子束有效直徑

        Φ20mmFWHM35mm)

        離子束穩(wěn)定度

        ±3/2H

        大樣品尺寸

        Φ4英寸

        三、應(yīng)用

        納米級(jí)圖案刻蝕、高深寬比蝕刻、表面清潔、離子減薄等

        ?SiO2 on Si substrate

        ?Diamond Substrate(金剛石)

        ?Quartz (Mask)

        ?Oriented PET film

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        10分

        易用性

        10分

        性價(jià)比

        10分
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