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PlasmaEtch 等離子開封設(shè)備

等離子開封設(shè)備PlasmaEtch是一個(gè)革命性的氣體為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)。采用以前從未見過的應(yīng)用微波氣體煽動(dòng)化學(xué)基團(tuán)為各向同性腐蝕。PlasmaEtch腐蝕大部分樣本大小，封裝類型和引線鍵合的類型。無論它是一個(gè)傳統(tǒng)的金絲樣品或者該樣品設(shè)有銅或銀導(dǎo)線，PlasmaEtch都提供了安全可靠的蝕刻。

等離子開封設(shè)備是為快速蝕刻模具化合物，聚酰亞胺芯片特別研發(fā)的，無需攻擊敏感的接線便可將芯片開封。

優(yōu)點(diǎn):

1）對(duì)銅線、數(shù)化銅線及

2) 銀線線無傷害

3) 傷害小 (selectivity > 500:1)

4)快速等向性蝕刻

5) 無離子、無輻射

6) 加力聚焦下游等離子體刻蝕

7) 質(zhì)量流量控制的所有氣體

8) 低溫蝕刻

9) 各向同性蝕刻

主要特點(diǎn):

1)可定制的蝕刻配方

2)蝕刻封裝類型多種多樣

3)優(yōu)化開封微芯片

4)開封處理程序快速

5) 高刻蝕率及低成本

6) 完全Chemical-free 開蓋，符合環(huán)保要求

7) 針對(duì)銀線的**解決辦法

8) 移除率約200 μm/小時(shí)

(包括無機(jī)填充材料移除)

開封后的效果