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? 產(chǎn)品簡(jiǎn)介SWC-4000型CMP后清洗機(jī)是美國(guó)NANO MASTER公司開(kāi)發(fā)的一款科研級(jí)的高端清洗系統(tǒng),用于去除晶圓在CMP工藝后晶圓表面污染物、殘留物、或微塵顆粒等。該系統(tǒng)集成了美國(guó)NANO MASTER公司無(wú)損DI水兆聲清洗**技術(shù),配合四路的化學(xué)試劑清洗,PVA刷洗以及帶異丙醇的高速甩干等清洗模塊,對(duì)于單片清洗而言具有**的基底清洗能力,是科研CMP后清洗機(jī)的**儀器。
? 技術(shù)特色
•兼容4,6,8,12寸片晶圓,同時(shí)可用于**7”X 7”掩膜版清洗。
•干進(jìn)干出或濕進(jìn)干出。
•集成了**的無(wú)損兆聲清洗技術(shù),同時(shí)支持去離子水沖洗、化學(xué)試劑清洗、PVA刷子刷洗、紅外燈烘干/氮?dú)獯祾咚Ω汕逑茨K。
•配置4路化學(xué)容器罐,可支持4路化學(xué)清洗液進(jìn)行清洗。
•兩種干燥模式:高速甩干與紅外烘干,可同時(shí)使用。
•用戶可編程的清洗干燥工序,比如:
Cycle I:化學(xué)試劑清洗
Cycle II:去離子水沖洗
Cycle III:刷子刷洗
Cycle IV:兆聲去離子水清洗
Cycle V:旋轉(zhuǎn)甩干,氮?dú)獯祾呒凹t外燈烘干
每一套程序可以支持 20 個(gè)操作步驟。
•可以存儲(chǔ)多達(dá) 25 套產(chǎn)品程序。
•結(jié)構(gòu)緊湊,集成度高:把所有的清洗需要集成到一個(gè)緊湊的立柜中 ,旋轉(zhuǎn)清洗單元、兆聲脈沖射流清洗器、試劑容器以及所有的閥及傳感器 都全部包含到該系統(tǒng)。
•帶觸摸屏的PLC控制。
? 主要技術(shù)參數(shù)
Wafer尺寸 | 4,6,8,12寸片晶圓,可用于**7”X 7”掩膜版清洗 |
清洗模塊 | 去離子水沖洗、PVA刷子刷洗、化學(xué)試劑清洗、兆聲清洗 |
去離子水 | 1.5L/min,30PSI |
PVA刷 | 刷子旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速:**400RPM |
化學(xué)試劑清洗 | 4個(gè)4升容器罐用于裝稀釋的化學(xué)清洗液,通過(guò)N2施壓控制流量與容器罐裝卸。 |
兆聲清洗 | 頻率:1MHz功率:60W |
干燥方式 | 旋轉(zhuǎn)甩干、氮?dú)獯祾?、紅外燈烘干 |
存儲(chǔ)recipe | *多25個(gè),每1個(gè)recipe可以支持 20 個(gè)清洗步驟,而在每一個(gè)步驟中可以設(shè)定以下參數(shù): RPM 轉(zhuǎn)速 (維持的轉(zhuǎn)速 、 RAMP加速梯度(多快時(shí)間達(dá)到那個(gè)速度) 、 Dwell 運(yùn)行時(shí)間 (維持想要的速度的時(shí)間有多長(zhǎng))。 |
旋轉(zhuǎn)臺(tái) | 轉(zhuǎn)速:0-2000RPM 加速度/減速度:<1-25.5秒(以0.1秒為增量) |
每步驟旋轉(zhuǎn)維持時(shí)間 | **到550秒(以0.1秒為增量) |
每步驟(維持旋轉(zhuǎn))的試劑分布時(shí)間 | 1-540秒(以1秒為增量) |
每步驟(變速階段)的試劑分布時(shí)間 | 1-25秒(以1秒為增量) |
化學(xué)試劑分配速率 | @15 PSI of N2, 83ccm (based on D.I.H2O) @20PSI of N2, 133ccm (based on D.I.H2O) |
控制器 | PLC控制系統(tǒng),LCD觸控屏控制 |
儀器尺寸 | 28”*32”*54” |
?應(yīng)用
• Post CMP Wafer Cleaning
• Patterned and Un-patterned Masks and Wafers
•Ge, GaAs and InP Wafer Cleaning
•Cleaning of Diced Chips on Wafer Frame
•Cleaning after Plasma Etch or Photoresist
•Stripping
•Mask Blanks or Contact Mask Cleaning
•Cleaning of X-ray and EUV Masks
•Optical Lens Cleaning
•Cleaning of ITO Coated Display Panels
•Megasonic Assisted Lift-off Process
暫無(wú)數(shù)據(jù)!