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產(chǎn)品特點(diǎn)簡(jiǎn)介:
歐洲Technoorg Linda公司出品的IV3及IV4離子減薄儀,為**的TEM(透射電鏡)、XTEM(剖面、橫截面透射顯微鏡)及FIB(聚焦離子束)樣品制備設(shè)備之一,適用于帶有特殊制備要求的材料的高質(zhì)量樣品制備。該離子減薄儀的設(shè)計(jì)允許自由變換離子源參數(shù),以及提供多種離子源組合。特定配置的減薄儀可在同一個(gè)腔室中進(jìn)行快速離子減薄及*終拋光,無需移動(dòng)樣品。我們提供的離子減薄儀,可讓用戶開展新材料和樣品制備新方法研究及對(duì)樣品制備過程進(jìn)行完全控制。
注:常規(guī)的離子減薄儀離子源能量較大,易破壞樣品的微觀結(jié)構(gòu),而且很難看到材料真實(shí)的自然狀態(tài)下的納米結(jié)構(gòu);因此,采用低能離子源,在有效避免樣品的微觀結(jié)構(gòu)被損傷的基礎(chǔ)上,大大提高了電鏡圖片的清晰度,進(jìn)而可以更為清楚的將材料自然狀態(tài)下的微觀結(jié)構(gòu)展現(xiàn)出來。
技術(shù)參數(shù):
主要技術(shù)參數(shù):
離子能量:0.1~10keV
離子束減薄樣品角度:0~90度
樣品**減薄速率:350um/h
超大TEM樣品薄區(qū)面積:>100um*100um
注:上述主要參數(shù)隨儀器的配置變化而有所不同
主要特點(diǎn):
主要特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn):
● 離子源具有多種組合方案: IV3和IV4基本配置采用兩個(gè)獨(dú)立水冷并分別控制的高能離子源(操作范圍:2 to 10 keV)。離子槍槍座的獨(dú)特設(shè)計(jì)使得在真空中機(jī)動(dòng)運(yùn)用離子槍成為可能,并且可從0到90度范圍內(nèi)設(shè)置任意減薄角度,提供了**限度的靈活性及排除離子束減薄中的低角度陰影的可能性。IV3和IV4中的雙束調(diào)制系統(tǒng)可在樣品兩側(cè)以不同的加速電壓同時(shí)進(jìn)行減薄。
在旋轉(zhuǎn)到1/2時(shí),離子束調(diào)制關(guān)閉束流,或者來回?cái)[動(dòng)機(jī)構(gòu)來減少熱敏樣品的溫度。離子束視場(chǎng)調(diào)整是由鈦樣品托的熒光特性來輔助實(shí)現(xiàn)。在IV3及IV4基本配置中的離子源是水冷的TELETWIN離子槍,用Ar離子,在2–10 keV能量范圍內(nèi)工作??蛇x用一個(gè)聚焦高能離子槍(2 to 10 keV)來替代,以達(dá)到高減薄速率(>350 μm/h);或選用一個(gè)低能熱陰極聚焦離子槍(100 to 2000 eV),它能確保清潔的樣品表面沒有無定形現(xiàn)象。對(duì)IV3和IV4,都可組合不同的離子源。
● 當(dāng)一個(gè)離子源選用高能離子源另一個(gè)離子源選用低能熱陰極聚焦離子槍時(shí),可實(shí)現(xiàn)在同一設(shè)備中既有高減薄速率又有終拋光性能
● 獨(dú)特的減速場(chǎng)操作:減速場(chǎng)運(yùn)行方式為IV3及IV4的標(biāo)準(zhǔn)特點(diǎn),這種擴(kuò)展功能可消除優(yōu)先濺射及低角度轟擊時(shí)的離子陰影。減速場(chǎng)在0到2.5keV范圍時(shí),入射離子束被彎曲掃過樣品表面。這種方法也消除了由于切線入射而產(chǎn)生的優(yōu)先刻蝕。
● 可選反應(yīng)離子減薄、液氮冷臺(tái)及離子束斜坡切割:IV3及IV4中可選幾種其它附件,以便拓展我們的離子減薄儀中制備的材料范圍?;瘜W(xué)輔助反應(yīng)離子轟擊大幅減少了常規(guī)濺射。在化合物半導(dǎo)體如GaAs中,氬離子減薄會(huì)導(dǎo)致形成合成產(chǎn)物。IV3和IV4采用碘作為化學(xué)活性離子,用于無合成產(chǎn)物的樣品制備。IV3及IV4的標(biāo)準(zhǔn)樣品托可選配液氮冷卻裝置,這樣可減少在低角度離子轟擊期間對(duì)樣品的過熱現(xiàn)象。因而,對(duì)熱敏材料制備時(shí),不會(huì)影響其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。帶有可選Hauffe(豪費(fèi))樣品托的IV3及IV4在SEM應(yīng)用時(shí),也可進(jìn)行離子束斜坡切割。在離子減薄儀中能切割厚達(dá)5mm的樣品。
● 樣品交換:IV4中配有氣鎖樣品交換系統(tǒng),可保證清潔的減薄環(huán)境,減少樣品污染及支持快速制樣的應(yīng)用
● 超大薄區(qū):IV3和IV4的獨(dú)特設(shè)計(jì)可制備超大(> 100 μm2)的TEM可穿透薄區(qū)面積
暫無數(shù)據(jù)!