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產(chǎn)品概述
MProbe UVVisSR薄膜測(cè)厚儀大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測(cè)量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導(dǎo)體(硅,單晶硅,多晶硅),半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)
該機(jī)大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測(cè)量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導(dǎo)體(硅,單晶硅,多晶硅),半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對(duì)二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)
測(cè)量范圍: 1 nm -50um
波長(zhǎng)范圍: 200 nm -1000 nm
MProbe UVVisSR薄膜測(cè)厚儀適用于實(shí)時(shí)在線測(cè)量,多層測(cè)量,非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(kù)(超過(guò)500材料),新材料可以很容易的添加,支持多重算法:Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等。
測(cè)量指標(biāo):薄膜厚度,光學(xué)常數(shù)
界面友好強(qiáng)大: 一鍵式測(cè)量和分析。
實(shí)用的工具:曲線擬合和靈敏度分析,背景和變形校正,連接層和材料,多樣品測(cè)量,動(dòng)態(tài)測(cè)量和產(chǎn)線批量處理。
(MProble NIR薄膜測(cè)厚儀系統(tǒng)示 )
案例1,73nm SiN氮化硅薄膜的測(cè)量
硅晶圓反射率,測(cè)量時(shí)間10ms
使用Tauc-Lorentz模型,測(cè)量SiN薄膜的n和k值
暫無(wú)數(shù)據(jù)!