參考價(jià)格
面議型號(hào)
品牌
產(chǎn)地
德國(guó)樣本
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虛擬號(hào)將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號(hào)
超高速Omega掃描方法
比Theta掃描方法快200倍
自動(dòng)評(píng)估三維完整的晶格方向
在5秒內(nèi)測(cè)定整個(gè)晶體的方位
緊湊,用戶友好和成本效益
易于移動(dòng)和輕量級(jí)的桌面設(shè)計(jì)
樣品處理方便,操作方便
空氣冷卻x射線管能耗低,運(yùn)行成本低(無需水冷)
有效的質(zhì)量控制流程
用于標(biāo)準(zhǔn)研究和工業(yè)工作流程
晶體方位設(shè)定及標(biāo)示
預(yù)編程立方晶體參數(shù)
先進(jìn)方便的軟件
精度高,例如高至(1/100)°
控制切割、研磨和拋光
單晶的完全晶格取向
適用于各種尺寸和重量范圍大的獨(dú)特材料,如:2-12英寸的晶圓片和20公斤以下的晶錠
特點(diǎn)
確定單晶的完全晶格取向
使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測(cè)量
立方晶體任意未知取向的測(cè)定
特別設(shè)計(jì)用于點(diǎn)陣方向的方位設(shè)置和標(biāo)記
氣冷式x射線管,無需水冷
適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制
可測(cè)量材料的例子
立方/任意未知方向:Si, Ge, GaAs, GaP, InP
立方/特殊取向:Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3
正方:MgF2, TiO2, SrLaAlO4
六方/三角:SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英),Al2O3(藍(lán)寶石),GaPO4, La3Ga5SiO14
斜方晶系:Mg2SiO4 NdGaO3
可根據(jù)客戶的要求進(jìn)一步選料
在5秒內(nèi)一次旋轉(zhuǎn)中被捕獲
DDCOM的應(yīng)用
平面方向的標(biāo)記和測(cè)量
Omega掃描能夠在一次測(cè)量中確定完整的晶體方位。因此,平面方向可以直接識(shí)別。這是一個(gè)有用的功能,以標(biāo)記在平面方向或檢查方向的單位或缺口。
在晶圓片的注入和光刻過程中,平面或凹槽作為定位標(biāo)記。經(jīng)過加工后,晶圓片攜帶數(shù)百個(gè)芯片,需要通過切割將其分離。
晶片必須正確地對(duì)準(zhǔn)晶圓片上易于切割的晶格面。因此,檢查平臺(tái)或缺口的位置是必要的。為了確定平面或缺口的位置,必須測(cè)量平面內(nèi)的部件。
該儀器通過旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤,可以將任何平面方向轉(zhuǎn)換成用戶指定的特定位置。這簡(jiǎn)化了將標(biāo)記應(yīng)用到特定平面方向的任務(wù),例如必須定義平面方向時(shí)。
對(duì)于高吞吐量應(yīng)用程序,可提供自動(dòng)測(cè)量解決方案。
暫無數(shù)據(jù)!