參考價格
面議型號
Helios 5 DualBeam FIB品牌
賽默飛世爾科技產(chǎn)地
捷克樣本
暫無探測器:
見參數(shù)加速電壓:
500 V – 30 kV電子槍:
見參數(shù)電子光學(xué)放大:
見參數(shù)光學(xué)放大:
見參數(shù)分辨率:
0.6 nm@15 keV、1.0 nm@1 keV看了賽默飛(原FEI)Helios 5 DualBeam FIB雙束電鏡的用戶又看了
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新一代的賽默飛世爾科技 Helios 5 DualBeam 具有 Helios 5 產(chǎn)品系列業(yè)界**的高性能成像和分析性能。它經(jīng)過精心設(shè)計,可滿足材料科學(xué)研究人員和工程師對*廣泛的 FIB-SEM 使用需求,即使是**挑戰(zhàn)性的樣品。
Helios 5 DualBeam 重新定義了高分辨率成像的標(biāo)準(zhǔn):**的材料對比度,*快、*簡單、*精確的高質(zhì)量樣品制備,用于 S/TEM 成像和原子探針斷層掃描(APT)以及**質(zhì)量的亞表面和 3D 表征。在 Helios DualBeam 系列久經(jīng)考驗的性能基礎(chǔ)上,新一代的 Helios 5 DualBeam 進行了改進優(yōu)化,所有這些都旨在確保系統(tǒng)處于手動或自動工作流程的**運行狀態(tài)。
半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)參數(shù):
<
Helios 5 CX | Helios 5 HP | Helios 5 UX | Helios 5 HX | Helios 5 FX | ||
樣品制備與 XHR 掃描電鏡成像 | *終樣品制備 (TEM薄片,APT) | STEM 亞納米成像與樣品制備 | ||||
SEM | 著陸電壓 | 20 eV~30 keV | 20 eV~30 keV | |||
分辨率 | 0.6 nm@15 keV | 0.6 nm@2 keV | ||||
1.0 nm@1 keV | 0.7 nm@1 keV | |||||
1.0 nm@500 eV | ||||||
STEM | 分辨率@30 keV | 0.7 nm | 0.6 nm | 0.3 nm | ||
FIB制備過程 | **材料去除束流 | 65 nA | 100 nA | 65 nA | ||
*終**拋光電壓 | 2 kV | 500 V | ||||
TEM樣品制備 | 樣品厚度 | 50 nm | 15 nm | 7 nm | ||
自動化 | 否 | 是 | 是 | |||
樣品處理 | 行程 | 110×110 ×65 mm | 110×110 ×65 mm | 150×150 ×10 mm | 100×100 ×20 mm | 100×100×20mm+5軸(S)TEM Compustage |
快速進樣器 | 手動 | 自動 | 手動 | 自動 | 自動+自動插入/提取STEM 樣品桿 |
材料科學(xué)行業(yè)技術(shù)參數(shù):
<
Helios 5 CX | Helios 5 UX | ||
離子光學(xué) | 具有**的大束流性能的Tomahawk HT 離子鏡筒 | 具有**的大束流和低電壓性能的Phoenix 離子鏡筒 | |
離子束電流范圍 | 1 pA – 100 nA | 1 pA – 65 nA | |
加速電圧 | 500 V – 30 kV | 500 V – 30 kV | |
**水平視場寬度 | 在束重合點處為0.9 mm | 在束重合處點為0.7 mm | |
離子源壽命 | 1,000 小時 | 1,000 小時 | |
兩級差分抽吸 | 兩級差分抽吸 | ||
飛行時間校準(zhǔn) | 飛行時間校準(zhǔn) | ||
15孔光闌 | 15孔光闌 | ||
電子光學(xué) | Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒 | Elstar超高分辨率場發(fā)射鏡筒 | |
磁浸沒物鏡 | 磁浸沒物鏡 | ||
高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流 | 高穩(wěn)定性肖特基場發(fā)射槍提供穩(wěn)定的高分辨率分析電流 | ||
電子束分辨率 | **工作距離下 | 0.6 nm @ 30 kV STEM | 0.6 nm @ 30 kV STEM |
0.6 nm @ 15 kV | 0.7 nm @ 1 kV | ||
1.0 nm @ 1 kV | 1.0 nm @ 500 V (ICD) | ||
0.9 nm @ 1 kV 減速模式* | |||
在束流重合點 | 0.6 nm @ 15 kV | 0.6 nm @ 15 kV | |
1.5 nm @ 1 kV 減速模式* 及 DBS* | 1.2 nm @ 1 kV | ||
電子束參數(shù) | 電子束流范圍 | 0.8 pA ~ 176 nA | 0.8 pA ~ 100 nA |
加速電壓范圍 | 200 V ~ 30 kV | 350 V ~ 30 kV | |
著陸電壓 | 20 eV ~ 30 keV | 20 eV ~ 30 keV | |
**水平視場寬度 | 2.3 mm @ 4 mm WD | 2.3 mm @ 4 mm WD | |
探測器 | Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (TLD-SE, TLD-BSE) | ||
Elstar 鏡筒內(nèi) SE/BSE 探測器 (ICD)* | |||
Elstar 鏡筒內(nèi) BSE 探測器 (MD)* | |||
樣品室內(nèi) Everhart-Thornley SE 探測器 (ETD) | |||
紅外相機 | |||
高性能離子轉(zhuǎn)換和電子探測器 (SE)* | |||
樣品室內(nèi) Nav-Cam 導(dǎo)航相機* | |||
可伸縮式低電壓、高襯度、分割式固態(tài)背散射探測器 (DBS)* | |||
可伸縮STEM 3+ 探測器* | |||
電子束流測量 | |||
樣品臺和樣品 | 樣品臺 | 高度靈活的五軸電動樣品臺 | 壓電陶瓷驅(qū)動 XYR 軸的高精度五軸電動工作臺 |
XY | 110 mm | 150 mm | |
Z | 65 mm | 10 mm | |
R | 360° (連續(xù)) | 360° (連續(xù)) | |
傾斜 | -15° ~ +90° | -10° ~ +60° | |
**樣品高度 | 與優(yōu)中心點間隔 85 mm | 與優(yōu)中心點間隔 55 mm | |
**樣品質(zhì)量 | 樣品臺任意位置 500 g | 樣品臺任意位置 500 g | |
0° 傾斜時** 5 kg | |||
**樣品尺寸 | 直徑 110 mm可沿樣品臺旋轉(zhuǎn)時 | 直徑 150 mm可沿樣品臺旋轉(zhuǎn)時 | |
優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜 | 優(yōu)中心旋轉(zhuǎn)和傾斜 |
更易于使用:
Helios 5 對所有經(jīng)驗水平用戶而言都是*容易使用的 DualBeam 系統(tǒng)。操作人員培訓(xùn)可以從幾個月縮短到幾天,其系統(tǒng)設(shè)計可幫助所有操作人員在各種高級應(yīng)用程序上實現(xiàn)一致、可重復(fù)的結(jié)果。
提高了生產(chǎn)率:
Helios 5 和 AutoTEM 5 軟件的先進自動化功能,增強的可靠性和穩(wěn)定性允許無人值守甚至夜間操作,顯著提高樣品制備通量。
改善時間和結(jié)果:
Helios
5 DualBeam 引入全新精細(xì)圖像調(diào)節(jié)功能 FLASH (閃調(diào))技術(shù)。借助 FLASH
技術(shù),您只需在用戶界面中進行簡單的鼠標(biāo)操作,系統(tǒng)即可“實時”進行消像散、透鏡居中和圖像聚焦。自動調(diào)整可以顯著提高通量、數(shù)據(jù)質(zhì)量并簡化高質(zhì)量圖像的采集。平均而言,F(xiàn)LASH
技術(shù)可以使獲得優(yōu)化圖像所需的時間*多縮短 10 倍。
暫無數(shù)據(jù)!
“歐波同杯”第九屆失效分析能力賽暨第七屆材料專業(yè)大學(xué)生研究能力挑戰(zhàn)賽圓滿結(jié)束!本屆大賽共決出精研賽冠軍21 項、第二名 55 項、第三名 32 項,創(chuàng)新賽冠軍14 項、第二
掃描電子顯微鏡(SEM)是一種應(yīng)用于各個領(lǐng)域的高分辨率成像儀器,因其優(yōu)異的表征性能和高分辨率的成像能力,廣泛應(yīng)用于食品微觀結(jié)構(gòu)的表征中。民以食為天,食品是日常生活中必不可少的一部分,而食品的微觀結(jié)構(gòu)與
橡膠制品指以天然及合成橡膠為原料生產(chǎn)各種橡膠制品的活動,還包括利用廢橡膠再生產(chǎn)的橡膠制品。橡膠的種類繁多,用途非常廣泛。橡膠的分類天然橡膠是制作膠帶、膠管、膠鞋的原料,適用于制作減震零件、在汽車剎車油
為了提高鋰電池的能量密度,市場急需容量高、成本低廉、可規(guī)模化生產(chǎn)的新型材料。與插層類石墨負(fù)極材料相比,Si、Ge、Al、Sb等合金類負(fù)極材料具有更高的儲鋰容量。硅基負(fù)極材料硅基負(fù)極材料的比容量最高,可