參考價格
100-150萬元型號
VCVD品牌
頂立科技產(chǎn)地
湖南樣本
暫無非金屬電熱元件:
其他金屬電熱元件:
其他燒結氣氛:
真空溫控精度:
±5最高溫度:
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立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)
產(chǎn)品描述:
立式化學氣相沉積爐(SiC、BN)可用于材料的表面涂層、基體改性、復合材料制備等
應用范圍:
外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導體坩堝、陶瓷基復合材料等
采用先進的控制技術,能精密控制MTS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動范圍小;
全密閉沉積室,密封效果好,抗污染能力強;
多通道工藝氣路,流場均勻,無沉積死角,沉積效果好;
多級高效尾氣處理系統(tǒng),能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物,環(huán)境友好;
可選配新設計的防腐蝕真空機組,持續(xù)工作時間長,維修率極低;
使用工藝氣氛:真空/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS。
參數(shù)\型號 | VCVD-0305-SIC | VCVD-0608-SIC | VCVD-0812-SIC | VCVD-1120-SIC | VCVD-1520-SIC |
工作區(qū)尺寸D×H(mm) | 300×500 | 600×800 | 800×1200 | 1100×2000 | 1500×2000 |
**溫度(℃) | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
溫度均勻性(℃) | ±5 | ±7.5 | ±7.5 | ±10 | ±10 |
極限真空度(Pa) | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
壓升率(Pa/h) | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
加熱方式 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 |
以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進行調(diào)整,不作為驗收依據(jù),具體以技術方案和協(xié)議為準。
結構形式:臥式-單開門/雙開門;立式-上出料/下出料
爐門鎖緊方式:手動/自動
爐殼材質(zhì):內(nèi)層不銹鋼/全不銹鋼
保溫材質(zhì):碳氈/石墨氈/碳纖維固化氈/陶瓷纖維氈
加熱器、馬弗材質(zhì):石墨/CFC/金屬
熱電偶:K/N/C/S分度號
真空泵:機械泵組/耐腐蝕泵組
暫無數(shù)據(jù)!
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