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立式化學氣相沉積爐（沉積炭）可用于以碳氫氣體（如C3H8、CH4等）為碳源的材料表面或基體等溫CVD/CVI處理。
☆ 采用多溫區(qū)獨立控溫，溫度均勻性好；
☆ 采用特殊結構沉積室，密封效果好，抗污染能力強；
☆ 采用多通道沉積氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好；
☆ 對炭沉積過程中產生的焦油、固體粉塵、有機氣體等能進行有效處理。
| 參數\型號 | VCVD-0305-C | VCVD-0608-C | VCVD-0812-C | VCVD-1120-C | VCVD-1320-C | VCVD-1520-C |
| 工作區(qū)尺寸D×H（mm） | Φ300×500 | Φ600×800 | Φ800×1200 | Φ1100×2000 | Φ1300×2000 | Φ1500×2000 |
| **溫度（℃） | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
| 溫度均勻性（℃） | ±5/±10 | ±7.5/±10 | ±7.5/±15 | ±10/±15 | ±10/±15 | ±10/±20 |
| 極限真空度（Pa） | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
| 壓升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
| 加熱方式 | 電阻/感應 | 電阻/感應 | 電阻/感應 | 電阻/感應 | 電阻/感應 | 電阻/感應 |
| 參數\型號 | VCVD-1822-C | VCVD-2032-C | VCVD-2632-C | VCVD-3338-C | VCVD-3344-C |
| 工作區(qū)尺寸D×H（mm） | Φ1800×2200 | Φ2000×3200 | Φ2600×3200 | Φ3300×3800 | Φ3300×4400 |
| **溫度（℃） | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
| 溫度均勻性（℃） | ±15 | ±15 | ±15 | ±20 | ±20 |
| 極限真空度（Pa） | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
| 壓升率（Pa/h） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
| 加熱方式 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 |
以上參數可根據工藝要求進行調整，不作為驗收依據，具體以技術方案和協(xié)議為準。
☆ 爐門：絲桿升降/液壓升降/手動升降；旋轉移開/平行移開（大尺寸爐門）；手動鎖緊/自動鎖圈鎖緊
☆ 爐殼：全碳鋼/內層不銹鋼/全不銹鋼
☆ 爐膽：軟碳氈/軟石墨氈/硬質復合氈/CFC
☆ 加熱器、馬弗：等靜壓石墨/模壓三高石墨/細顆粒石墨
☆ 工藝氣路系統(tǒng)：體積/質量流量計；手動閥/自動閥；進口/國產
☆ 熱電偶：K分度號/N分度號/C分度號/S分度號
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11月26日至28日，2024年（首屆）硅基新材料產業(yè)發(fā)展高峰論壇于襄陽谷城盛大舉行，該論壇由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會硅業(yè)分會與谷城縣人民政府指導，北京國化新材研究院等單位聯合主辦。來自全國近200位硅基
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