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PECVD管式爐，等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積管式爐
PECVD 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是為了降低傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積的反應(yīng)溫度。在傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積前面安裝射頻感應(yīng)裝置，電離反應(yīng)氣體，產(chǎn)生等離子體。等離子體的高活性是由于等離子體的高活性加速了反應(yīng)的進(jìn)行。這個(gè)系統(tǒng)叫做 PECVD。
該型號(hào)是博納熱**產(chǎn)品，綜合了大多數(shù) PECVD 爐系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)，在 PECVD 爐系統(tǒng)前增加了預(yù)熱區(qū)。試驗(yàn)表明，沉積速度快，膜層質(zhì)量好，孔洞少，不開裂。配備AISO 全自動(dòng)智能控制系統(tǒng)，操作方便，功能強(qiáng)大。
PECVD 爐的應(yīng)用范圍很廣: 金屬膜、陶瓷膜、復(fù)合膜、各種膜的連續(xù)生長。易增加功能，可擴(kuò)展等離子清洗蝕刻等功能。
PECVD管式爐特點(diǎn)
高薄膜沉積速率: 采用射頻輝光技術(shù)，大大提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達(dá)1000s.
高面積均勻性: 先進(jìn)的多點(diǎn)射頻送料技術(shù)、特殊氣路分布、加熱技術(shù)等，使薄膜均勻性指數(shù)達(dá)到8%.
高濃度: 使用先進(jìn)的設(shè)計(jì)概念的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，一個(gè)沉積基板之間的偏差小于2%.
高過程穩(wěn)定性: 高度穩(wěn)定的設(shè)備確保了連續(xù)和穩(wěn)定的過程。
PECVD管式爐標(biāo)準(zhǔn)配件
插管4支
爐管1根
真空泵1件
真空密封法蘭2套
真空計(jì)1件
氣體輸送和真空泵
射頻等離子體設(shè)備
可選配件
快卸法蘭，三通法蘭
7英寸高清觸摸屏
PECVD管式爐圖片
PECVD管式爐技術(shù)規(guī)格
| 一、技術(shù)參數(shù) | |
| 型號(hào) | BR-PECVD-500A |
| 加熱長度和恒溫區(qū)長度 | 440mm, 200mm |
| 爐管尺寸 | Ф100x1650mm （爐管直徑可根據(jù)實(shí)際需要定制） |
| **工作溫度 | 1200 oC (<1小時(shí)) |
| 長期工作溫度 | ≤1100℃ |
| 電壓及額定功率 | 單相，220V，50Hz |
| 控溫方式
| ?51段可編程控溫，PID參數(shù)自整定， ?操作界面為10”工控電腦，內(nèi)置PLC控制程序， ?可將溫控系統(tǒng)、滑軌爐滑動(dòng)（時(shí)間和距離）設(shè)定為程序控制。 |
| 控溫精度 | ± 1 oC |
| 溫度均勻度 | ± 5 oC |
| 加熱速率 | ≦20 oC /分鐘 |
| 熱電偶 | K型 （熱電偶保護(hù)管為純度 99.7%的剛玉管） |
| 加熱元件 | HRE電阻絲 |
| 真空度 | 工作真空度10-2 Pa (冷態(tài)及保溫) 極限真空度10-3 Pa (極限真空度） |
| 爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
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