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Phenom Pharos 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡因其多功能性和**的成像性能贏得了良好的口碑 —— 即使是在傳統(tǒng)較難觀測(cè)的樣品中也表現(xiàn)優(yōu)異。直觀的用戶界面有助于將高分辨率圖像呈現(xiàn)給用戶， FEG 場(chǎng)發(fā)射電子源在 1-20kV 的加速電壓范圍內(nèi)都提供了高分辨率。

Phenom Pharos STEM 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射 SEM-STEM 電子顯微鏡，配備了 STEM 樣品杯，從另一個(gè)維度提高了其成像能力和應(yīng)用的多樣性。

作為全球**臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射 SEM-STEM 電子顯微鏡，在較低的加速電壓下，減少了電子束對(duì)樣品的損傷，顯著提高了圖像的襯度。在臺(tái)式掃描電鏡下即可快速獲得高分辨的 BF 像、DF 像、HAADF 像，且支持用戶自定義成像。Pharos STEM 樣品杯為材料領(lǐng)域的研究提供了高效、全面的表征方式。

BF 像：主要是樣品正下方同軸的探測(cè)器接收透射電子和部分散射電子。影響明場(chǎng)像襯度（Contrast）的主要因素是樣品的厚度和成分。樣品越厚，原子序數(shù)（Z）越大，穿透樣品的電子越少，圖像就越暗，因此 BF 像對(duì)輕元素（Z 較小）比較敏感。

DF 像：主要是樣品下方非同軸位置的探測(cè)器接收散射電子信號(hào)。

HAADF 像：主要是接收高角度的非相干散射電子信號(hào)。原子序數(shù)（Z）越大，散射角也越大，原子核對(duì)入射電子的散射作用越強(qiáng)，圖像上更亮。因此又被稱為 Z 襯度像。

三種成像模式各有特點(diǎn)，具有不同的成像優(yōu)勢(shì)，可以根據(jù)樣品情況搭配使用，成像結(jié)果進(jìn)行互相驗(yàn)證。

煙草花葉病毒的BSE 像、BF 像、 DF 像和 HAADF 像

對(duì)比掃描電鏡的背散射電子圖像（BSE），桿狀的煙草花葉病毒在 BF 模式下更加直觀。BF 模式更適合觀察輕元素（Z 較?。?，輕元素散射作用較弱，因此在 HAADF 模式下較難清晰觀測(cè)細(xì)節(jié)。

而桿狀煙草花葉病毒周圍較厚的脂質(zhì)球，電子較難穿透，BF 像上相對(duì)較暗。在 DF 模式下，密度較大的脂質(zhì)球表現(xiàn)出較強(qiáng)的衍射，因此在 DF 像上相對(duì)較亮。

規(guī)格參數(shù)：

• 系統(tǒng)兼容：Phenom Pharos G2 臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡

• 樣品兼容：? 3 mm TEM 載網(wǎng)(夾具固定)

• 成像時(shí)間：< 40 s*

• 成像模式：BF、DF、HAADF、 自定義**

• 成像工作流程：固定的 WD，設(shè)置**的探測(cè)器 ，完全集成的 UI

• 真空度：0.1, 10 & 60 Pa

• 分辨率：優(yōu)于 1 nm

* 加載樣品到呈現(xiàn)圖像的時(shí)間
** STEM 具有 11 分割探測(cè)器，用戶可以對(duì)其進(jìn)行自定義選擇