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        重慶三安意法半導體SiC襯底項目預計8月投產


        來源:重慶廣電

        [導讀]  三安意法半導體項目已實現主體結構封頂,正在進行室內裝修和設備采購,預計今年8月將實現點亮投產。

        中國粉體網訊  4月15日,據西永微電園官微消息,相關負責人表示,三安意法半導體項目已實現主體結構封頂,正在進行室內裝修和設備采購,預計今年8月將實現點亮投產,比原計劃提前2個月。



        據悉,三安意法半導體項目總投資約300億元,全面整合了8英寸車規(guī)級碳化硅的襯底、外延、芯片的研發(fā)制造,致力于建設技術先進的8英寸碳化硅襯底和晶圓工廠。


        此前消息顯示,該項目包括一家車規(guī)級功率芯片制造企業(yè),以及為其提供碳化硅襯底的材料供應商。其中,車規(guī)級功率芯片制造企業(yè),由國內化合物半導體龍頭企業(yè)三安光電和國際半導體巨頭意法半導體合資設立,規(guī)劃總投資約32億美元,達產后,每年能生產48萬片8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片,主要應用在新能源汽車主驅逆變、充電樁和車載充電器上。


        (中國粉體網編輯整理/空青)

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