中國粉體網(wǎng)訊  3月7日，天岳先進在投資者互動平臺表示，目前公司已掌握涵蓋了設(shè)備設(shè)計、熱場設(shè)計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等各類核心技術(shù)。其中碳化硅單晶生長設(shè)備、熱場設(shè)計制造技術(shù)等，公司已形成相關(guān)專利，具備設(shè)計不同尺寸碳化硅單晶生長爐能力。

來源:天岳先進招股說明書

碳化硅長晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長核心技術(shù)中的熱場和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導(dǎo)電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長晶爐需要實現(xiàn)高真空度、低真空漏率等各項性能指標，為高質(zhì)量晶體生長提供適合的熱場實現(xiàn)條件。

據(jù)天岳先進的招股說明書顯示，天岳先進的碳化硅單晶生長設(shè)備采用真空系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和材料設(shè)計，可在保持極高真空度的同時保持極低的高溫真空漏率，保證了高純碳化硅粉料和碳化硅單晶生長腔室的純度。此外，公司對設(shè)備自動化程度進行不斷提升，與晶體生長控制軟件系統(tǒng)結(jié)合，可以實現(xiàn)晶體生長前的上料、封爐自動化控制，并可實現(xiàn)晶體生長過程中的爐溫、真空度、氣體流量等全參數(shù)實時監(jiān)控，保證了晶體生長過程的穩(wěn)定性和可控性。

碳化硅單晶生長熱場是碳化硅單晶生長的核心，決定了單晶生長中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場等關(guān)鍵反應(yīng)條件。熱場的配置核心是設(shè)置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，以保證熱場內(nèi)生長的晶體具有較小的原生內(nèi)應(yīng)力，同時具備合理可控的生長速率。公司的熱場仿真模擬團隊，利用專業(yè)碳化硅熱場仿真軟件進行熱場設(shè)計，可針對不同類型、不同尺寸的碳化硅單晶進行精確的熱場仿真、模擬和設(shè)計，從而滿足不同尺寸、不同類型晶體的生長技術(shù)需求。

參考來源：同花順金融研究中心、天岳先進招股說明書

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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