中國粉體網(wǎng)訊 近年來,以碳化硅為代表的寬禁帶半導體器件,受到了廣泛的關注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度,10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度,3倍于硅材料的熱導率。因此碳化硅功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應用場合,且有[更多]
用微信掃碼二維碼分享至好友和朋友圈