參考價(jià)格
面議型號(hào)
YS-C08S01品牌
產(chǎn)地
廣州樣本
暫無(wú)非金屬電熱元件：
其他金屬電熱元件：
其他燒結(jié)氣氛：
其他溫控精度：
≤±2℃最高溫度：
2200額定溫度：
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粵升設(shè)備融合二十余年的SiC晶體工藝經(jīng)驗(yàn)打造，給您提供高質(zhì)量，低成本的SiC單晶。
設(shè)備名稱(chēng):液相法SiC單晶爐
規(guī)格參數(shù)
設(shè)備型號(hào):YS-C08S01
設(shè)備尺寸:L1800xW1400xH3750mm
適用工藝:LPE法(兼容PVT法)
長(zhǎng)晶尺寸:6吋兼容8吋
籽晶/坩堝升降行程:200mm
籽晶/坩堝旋轉(zhuǎn)速度范圍:0-180rpm
**加熱溫度:800~2200℃C
設(shè)備特點(diǎn)
·液相法SiC長(zhǎng)晶特點(diǎn)
·生長(zhǎng)的晶體質(zhì)量高，缺陷少，沒(méi)有微管類(lèi)缺陷，晶體應(yīng)力低，
·可生長(zhǎng)n型、p型SiC單晶晶錠，也可生長(zhǎng)3C-SiC
·生長(zhǎng)過(guò)程對(duì)溫場(chǎng)影響小，工藝穩(wěn)定性好
·不需預(yù)合成SiC粉原料，生長(zhǎng)成本低
·生長(zhǎng)溫度低，能耗低。
暫無(wú)數(shù)據(jù)！
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