參考價(jià)格
面議型號(hào)
碳化硅晶體品牌
天科合達(dá)產(chǎn)地
北京樣本
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產(chǎn)品概述
經(jīng)過(guò)PVT方法,生長(zhǎng)出優(yōu)質(zhì)的導(dǎo)電型碳化硅晶胚。晶胚經(jīng)過(guò)滾外圓、磨端面、加工定位邊等一系列工序,加工成高質(zhì)量碳化硅單晶晶體。單晶晶體是加工制作單晶襯底的重要原料,客戶(hù)通過(guò)切磨拋等加工工藝和清洗工藝,可獲得低缺陷密度的碳化硅單晶襯底產(chǎn)品。
下游產(chǎn)品與應(yīng)用
碳化硅襯底材料經(jīng)過(guò)同質(zhì)外延生長(zhǎng)、晶圓制造、封裝檢測(cè)等環(huán)節(jié),制成碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等功率器件,適用于高溫、高壓、大電流等工作環(huán)境,廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、充電樁、光伏風(fēng)電、儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、白色家電等領(lǐng)域。
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