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        8英寸導(dǎo)電型襯底
        8英寸導(dǎo)電型襯底

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        面議

        型號(hào)

        8英寸導(dǎo)電型襯底

        品牌

        天科合達(dá)

        產(chǎn)地

        北京

        樣本

        暫無(wú)
        北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

        高級(jí)會(huì)員

        |

        第1年

        |

        生產(chǎn)商

        工商已核實(shí)

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        產(chǎn)品概述

        導(dǎo)電型碳化硅襯底是導(dǎo)電型碳化硅晶體經(jīng)過(guò)切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成的單晶薄片。單晶襯底薄片作為第三代半導(dǎo)體的重要原材料,經(jīng)過(guò)同質(zhì)外延生長(zhǎng)、晶圓制造、封裝檢測(cè)等環(huán)節(jié),可制成碳化硅基功率器件,是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料。

        8英寸導(dǎo)電型襯底是下一代行業(yè)主流尺寸產(chǎn)品。8英寸產(chǎn)品質(zhì)量與6英寸相當(dāng),未來(lái)公司將根據(jù)客戶(hù)實(shí)際需求,同步擴(kuò)大8英寸襯底生產(chǎn)規(guī)模,并有效降低生產(chǎn)成本,推動(dòng)8英寸襯底不斷向前發(fā)展。

        下游產(chǎn)品與應(yīng)用

        碳化硅襯底材料經(jīng)過(guò)同質(zhì)外延生長(zhǎng)、晶圓制造、封裝檢測(cè)等環(huán)節(jié),制成碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等功率器件,適用于高溫、高壓、大電流等工作環(huán)境,廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、充電樁、光伏風(fēng)電、儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、白色家電等領(lǐng)域。

        直徑199.5 mm -200.0 mm
        晶型4H
        厚度500 μm±25 μm
        晶片方向向<11-20>偏轉(zhuǎn)4.0°±0.5°
        微管密度≤ 0.2 cm-2
        電阻率0.015-0.025 Ω.cm
        Notch晶向{10-10} ±5.0°
        邊緣去除3 mm
        局部厚度變化/總厚度變化/彎曲度/翹曲度≤5 μm/≤10 μm/±35 μm/70 μm
        表面粗糙度拋光 Ra ≤ 1 nm 
        CMP Ra ≤ 0.2 nm
        邊緣裂紋(強(qiáng)光燈觀(guān)測(cè))——
        六方空洞(強(qiáng)光燈觀(guān)測(cè))累計(jì)面積 ≤ 0.05%
        多型(強(qiáng)光燈觀(guān)測(cè))——
        目測(cè)包裹物(日光燈觀(guān)測(cè))累計(jì)面積≤ 0.05%
        硅面劃痕(強(qiáng)光燈觀(guān)測(cè))——
        崩邊(強(qiáng)光燈觀(guān)測(cè))不允許寬度≥ 0.2 mm,深度≥ 0.2 mm
        穿透螺位錯(cuò)(TSD)≤ 300 cm-2
        硅面污染物(強(qiáng)光燈觀(guān)測(cè))——
        包裝多片卡塞/單片盒包裝


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        售后服務(wù)

        10分

        易用性

        10分

        性?xún)r(jià)比

        10分
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