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性能特點(diǎn) Capability Features:

用于失效分析的剝層分析解決方案群，世界頂尖反應(yīng)式離子蝕刻機(jī)，物理沉移系統(tǒng)，原子層化學(xué)氣相沉積系統(tǒng).

RIE/PE and RIE-ICP FA system

這些靈活的失效分析工具可以實(shí)現(xiàn)從鈍化層的去除到各項(xiàng)異性的氧化物的去除，從小管芯或已封裝的器件到300mm直徑的晶片整個(gè)范圍的工藝.

去除氮化物鈍化層后 刻蝕金屬間介質(zhì)后 四層金屬暴露 金屬間介質(zhì)后的失效分析

優(yōu)點(diǎn):

- 工藝靈活，既可采用RIE/PE，也可采用ICP

- 先進(jìn)的管芯工藝：采用等離子體加速器的刻蝕速率比標(biāo)準(zhǔn)的RIE工藝快20倍

產(chǎn)品范圍：

- 可以處理300mm晶片的RIE/PE雙模式設(shè)備

- 快速低損傷的模具刻蝕裝置

- 處理200mm晶片的雙模式設(shè)備

- 填充用的正硅酸乙酯（TEOS）工藝

應(yīng)用:

- 各向同性的聚酰亞胺的去除（RIE或ICP模式）

- 各向同性的氮化物（鈍化層）的去除（PE或ICP模式）

- 各向異性的氧化物（金屬間介質(zhì)/層間介質(zhì)）的去除（RIE或ICP模式）

- 各向異性的低K值氧化物的去除（RIE或ICP模式）

- 金屬支架的去除（RIE或ICP模式）

- 多晶硅的去除（RIE模式）

- 鋁或銅的去除（ICP模式）