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帶電粒子探測(cè)器，U-019-300-100
1 帶電粒子的測(cè)量與探測(cè)器的基本類型
ORTEC帶電粒子硅探測(cè)器主要有金硅面壘和離子注入兩種工藝，其耗盡層厚度從10微米到幾個(gè)毫米厚不等。而根據(jù)其幾何形狀與是否全耗盡又有諸多類型。選擇合適的帶電粒子探測(cè)器，除應(yīng)用本身外，在探測(cè)器上應(yīng)從耗盡層厚度、結(jié)電容、漏電流、電子噪聲、能量分辨率等性能指標(biāo)上綜合權(quán)衡。
用于alpha能譜測(cè)量的ULTRA和ULTRA-AS探測(cè)器采用了表面鈍化和離子注入工藝（即PIPS探測(cè)器），該工藝的探測(cè)器有諸多優(yōu)點(diǎn)：接觸極更薄，更堅(jiān)固；低噪聲，對(duì)Alpha能譜分辨率好；使用邊緣鈍化技術(shù)，可以使樣品離探測(cè)器入射窗小到1毫米。而一般的面壘型探測(cè)器*小只能達(dá)到2.5毫米。所以該類型探測(cè)器的效率要更高；常溫使用，探測(cè)器窗可擦拭。
Ultra-AS針對(duì)Ultra的區(qū)別或改進(jìn)是采用了進(jìn)一步低本底的材料，以專適于在ORTEC Alpha Suite譜儀。
ULTRA-CAM系列則是針對(duì)氣溶膠連續(xù)監(jiān)測(cè)設(shè)計(jì)，探測(cè)器具有特殊密閉和抗潮性能。
Beta能譜測(cè)量的難處在于常溫狀態(tài)下由硅探測(cè)器很難獲得良好的分辨率。ORTEC提供以下兩種解決方案：1，Beta-X Si（Li）一體化探測(cè)器（包含探頭，冷指前放）；2，A和L系列可制冷的厚硅探測(cè)器。
帶電粒子探測(cè)器在核物理實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用有諸多方面，ORTEC在其探測(cè)器類型上都有相應(yīng)的側(cè)重。比如重離子由于其高度電離和短徑跡特性，需要探測(cè)器在前接觸級(jí)具有強(qiáng)電場(chǎng)，適用的F系列探測(cè)器在前接觸級(jí)的場(chǎng)強(qiáng)為20，000V/cm。而對(duì)帶電粒子的時(shí)間譜測(cè)量，需要用ULTRA系列或能承受超電壓的強(qiáng)場(chǎng)局部耗盡探測(cè)器。
探測(cè)器的種類如下：（詳細(xì)資料致電我公司）
ULTRA與ULTRA-AS系列離子注入硅探測(cè)器
A系列局部耗盡金硅面壘探測(cè)器
B系列全耗盡金硅面壘探測(cè)器
C系列環(huán)形局部耗盡金硅面壘探測(cè)器
D系列平面全耗盡金硅面壘探測(cè)器
F系列局部耗盡重離子金硅面壘探測(cè)器
L系列鋰漂移硅（室溫）探測(cè)器
暫無數(shù)據(jù)！
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