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硅APD探測(cè)模塊 SPDSi

上海屹持光電單光子計(jì)數(shù)模塊SPDSi是基于Si-APD的超靈敏光電探測(cè)器。探測(cè)波段覆蓋200 -1060 nm，可工作在線性模式和蓋革模式。蓋革模式下增益超過(guò)60 dB。SPDSi特有的高性能主動(dòng)抑制電路，可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的單光子探測(cè)，并且可加載任意寬度和周期的探測(cè)門。該電路實(shí)現(xiàn)了大于20 dB的雪崩抑制，從而將Si APD的性能發(fā)揮到**狀態(tài)。在700 nm波段的探測(cè)效率超過(guò)60%，暗計(jì)數(shù)200-2000 cps，死時(shí)間小于50 ns。

SPDSi標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)的有效光敏探測(cè)面積**可達(dá)500 um，單光子計(jì)數(shù)信號(hào)在模塊內(nèi)部轉(zhuǎn)化為數(shù)字TTL信號(hào)，并通過(guò)SMA接口送出。高度集成的模塊化設(shè)計(jì)便于OEM應(yīng)用和工業(yè)集成。

APD通過(guò)模塊內(nèi)部制冷工作在-20 ℃的低溫環(huán)境下，以獲得**的信噪比。制冷模塊由高效的TEC控制。控制精度可達(dá)±0.2 ℃。

技術(shù)特點(diǎn)：

高探測(cè)效率：65%@700 nm； 500 um光敏面積；

TTL數(shù)字信號(hào)輸出；低暗計(jì)數(shù)；

低后脈沖；低時(shí)間抖動(dòng)；

應(yīng)用領(lǐng)域：

熒光測(cè)量；激光測(cè)距；

量子通信；光譜測(cè)量；

光子關(guān)聯(lián)；自適應(yīng)光學(xué)；

Fig1. 量子效率 Fig2. Si單光子探測(cè)器

Fig3. Si單光子探測(cè)器結(jié)構(gòu)圖

產(chǎn)品參數(shù)：

產(chǎn)品說(shuō)明：

1. 不正確的電壓可能損壞模塊，應(yīng)保證接入電源不高于28V，并可提供足夠電流。

2. APD屬于高靈敏光電探測(cè)器件，在雪崩狀態(tài)下應(yīng)控制輸入光信號(hào)強(qiáng)度，過(guò)高的光強(qiáng)可能損壞APD，這種損害可能降低APD的探測(cè)靈敏度，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐啥O管擊穿。

3. 在特殊的應(yīng)用場(chǎng)景下，應(yīng)保證模塊的工作溫度不超過(guò)50 ℃，過(guò)高的溫度可能導(dǎo)致APD工作溫度上升，從而引起暗計(jì)數(shù)水平升高。

4. SPDSi的默認(rèn)死時(shí)間為50ns。死時(shí)間設(shè)定會(huì)影響模塊的**計(jì)數(shù)率，當(dāng)死時(shí)間設(shè)定在50ns時(shí)，**計(jì)數(shù)率為10Mcps，如您的應(yīng)用對(duì)死時(shí)間設(shè)定有特別要求，請(qǐng)?jiān)谟嗁?gòu)時(shí)與我們聯(lián)系。

5. 同樣，輸出信號(hào)的脈寬也會(huì)影響**計(jì)數(shù)率，典型脈寬為30 ns，如您的應(yīng)用對(duì)輸出信號(hào)有特別要求，請(qǐng)?jiān)谟嗁?gòu)時(shí)與我們聯(lián)系。

6. SPDSi支持空間和光纖接口接入。

單光子探測(cè)器選型：

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