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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
被動(dòng)鎖模技術(shù)由于便于組裝， 操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)， 已被人們廣泛的應(yīng)用于各類激光腔中來產(chǎn)生超短脈沖串。Eachwave專業(yè)提供被動(dòng)鎖模器件BATOP半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM：可飽和吸收鏡（SAM） ，可被安裝在寬譜激光腔中進(jìn)行模式鎖定。通過可飽和吸收體的損耗機(jī)制，連續(xù)激光器中雜亂的多脈沖可以被調(diào)制成有規(guī)律的超短脈沖串。
可飽和吸收體在強(qiáng)光下被漂白，可以使大部分腔內(nèi)能量通過可飽和吸收體到達(dá)反射鏡，并再次反射回激光腔中；在弱光下，表現(xiàn)為吸收未飽和的特性，吸收掉所有入射光，有效的把這部分弱光從激光腔中去除掉，表現(xiàn)了調(diào) Q 鎖模的抑制作用。而且由于吸收掉了脈沖前沿部分，脈沖寬度在反射過程中會(huì)逐漸變窄。
Eachwave推出的BATOP半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM包含一個(gè)布拉格反射鏡（Bragg-mirror）生長(zhǎng)在基底上（如GaAs晶圓），然后可飽和吸收層做在布拉格反射鏡上。盡管半導(dǎo)體可飽和吸收鏡已經(jīng)被廣泛的用于各種激光腔中進(jìn)行模式鎖定，但是SAM的應(yīng)用還是要根據(jù)具體情況被精確地設(shè)計(jì)，如不同的激光器具有不同損耗，增益譜，腔內(nèi)功率等等，可飽和吸收體的參數(shù)都需要跟這些參數(shù)相匹配。
BATOP 是激光被動(dòng)鎖模器件-可飽和吸收體的專業(yè)供應(yīng)商?？娠柡臀债a(chǎn)品集合了各式各樣的不同的器件，包括可飽和吸收鏡(SESAM)，可飽和輸出耦合鏡(SOC)，共振可飽和吸收鏡RSAM，可飽和噪聲抑制器SANOS，和用于透過應(yīng)用的可飽和吸收體(SA)。迄今為止，可飽和吸收產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長(zhǎng)范圍；封裝形式多樣，可適用于不同激光系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM產(chǎn)品
Wavelength region 790 nm ... 830 nm: 800 nm
Wavelength region 910 nm ... 990 nm: 940 nm | 980 nm
Wavelength region 1020 nm ... 1150 nm: 1040 nm | 1064 nm |1100 nm
Wavelength region 1110 nm ... 1320 nm: 1150 nm |1300 nm
Wavelength region 1320 nm ... 1460 nm: 1340 nm | 1420 nm
Wavelength region 1470 nm ... 1660 nm: 1510 nm | 1550 nm| 1645 nm
Wavelength region 1900 nm ... 3200 nm: 2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm
查看當(dāng)前SESAM型號(hào)：SESAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡 德國(guó)BATOP官網(wǎng)鏈接
半導(dǎo)體可飽和吸收鏡的不同封裝形式
規(guī)格型號(hào)： | 描述 |
SAM-λ-A-τ-x | λ=波長(zhǎng)，A=吸收率，τ=弛豫時(shí)間，x=封裝形式 |
x =4.0-0 | •裸芯片，芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm |
x = 1.0b-0 | •一盒，4個(gè)裸芯片，芯片尺寸1.0 mm x 1.0 mm |
x = 1.3b-0 | •一盒，4個(gè)裸芯片，芯片尺寸1.3mm x 1.3 mm |
x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直徑12.7 mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-12.7g-c •邊緣安裝：x = 4.0-12.7g-e |
x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直徑12.7 mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-12.7s-c •邊緣安裝：x = 4.0-12.7s-e |
x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直徑25.0mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.0g-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0g-e |
x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直徑25.0mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.0s-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0s-e |
x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直徑25.4mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.4g-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.4g-e |
x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直徑25.4mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.4s-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.4s-e |
x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm，焊接在水冷銅散熱片上，直徑25.0 mm •中心安裝：x = 4.0-25.0w-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0w-e |
x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，薄膜焊接在水冷銅散熱器上，直徑25.0 mm，適用于高功率應(yīng)用。 •中心安裝：x = 4.0-25.0h-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0h-e |
x = FC/PC或者 FC/APC | •安裝在1米長(zhǎng)的單模光纖上。 •可用光纖：HI 980，HI 1060，Panda SM98-PS-U25A •FC / PC接頭：x = FC / PC •FC / APC接頭：x = FC / APC |
訂購(gòu)示例 | SAM-1064-2-1ps-4.0-0，SAM-1064-2-1ps-FC/PC- HI1060 |
附件： | |
FM-1.3 | 1.3芯片專用散熱底座 |
PHS | 光纖耦合封裝專用散熱底座 |
>>裸片SAM
| 標(biāo)準(zhǔn) | 可選項(xiàng) | |
| GaAs芯片尺寸 | 4mm×4mm | 其他尺寸可選 |
| 芯片厚度 | 400um | 150um |
| 芯片背面 | 原切/磨砂 | 拋光可選 |
| SESAM正面鍍保護(hù)電解質(zhì)膜 | ||
>>光纖耦合封裝半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸：1 mm x 1 mm 或1.3 mm x 1.3 mm
• 芯片厚度：450 μm
• 芯片背面 ：原切/磨砂
• SESAM芯片正面鍍保護(hù)電解質(zhì)膜
>> 光纖封裝可飽和吸收鏡SAM，帶散熱底座
• SAM與FC/PC接口的光纖頭之間的鏈接可以輕松拆卸，利用這個(gè)封裝，可以在一臺(tái)激光器上就實(shí)現(xiàn)測(cè)試多個(gè)SAM性能的目的。
• 當(dāng)SAM表面有不幸損傷，可以輕松換芯片，所以再次實(shí)驗(yàn)可以用同樣的的SAM芯片。
>>帶有散熱底座的自由空間可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸 4 mm x 4 mm
• 芯片厚度 450 μm 150um可選
• 芯片背面 原切/磨砂
• SESAM芯片正面鍍保護(hù)電解質(zhì)膜
• SESAM 固定在半英寸/一英寸的Cu底座上
>>帶有水冷封裝的可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸： 4 mm x 4 mm
• 芯片厚度 ：450 μm
• 芯片背面：原切/磨砂
• SESAM芯片正面鍍保護(hù)電解質(zhì)膜
• SESAM 鍍金的Cu底座上，并帶有水冷裝置
>>帶有光纖封裝的可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸： 4 mm x 4 mm
• 芯片厚度 ：450 μm
• SAM芯片用膠粘在一個(gè)單模光纖一端，光纖接頭FC/APC，其他接頭類型可選
更多可飽和吸收體產(chǎn)品
>>半導(dǎo)體可飽和吸收鏡 SESAM
>>可飽和輸出耦合器 SOC
>>共振可飽和吸收鏡 RSAM
>>可飽和噪聲抑制器 SANOS
>>透射型可飽和吸收體 SA
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