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        時(shí)間分辨精細(xì)陰極熒光顯微鏡
        時(shí)間分辨精細(xì)陰極熒光顯微鏡

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        品牌

        產(chǎn)地

        瑞士

        樣本

        暫無(wú)
        量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司

        會(huì)員

        |

        第2年

        |

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        時(shí)間分辨精細(xì)陰極熒光分析系統(tǒng)

        SEM-CL時(shí)間分辨精細(xì)陰極熒光分析系統(tǒng)是由瑞士attolight公司設(shè)計(jì)并制造的,并獲得R&D top100 創(chuàng)新大獎(jiǎng)。

        應(yīng)用領(lǐng)域

        LED的性能和可靠性

        GaN功率晶體管

        線位錯(cuò)密度(TDD)

        載流子壽命測(cè)試和動(dòng)力學(xué)

        – 晶體缺陷研究

        太陽(yáng)能電池的效率

        納米尺度光電器件的研發(fā)

        – 寬禁帶半導(dǎo)體研究

        設(shè)備特點(diǎn)

        • 可實(shí)現(xiàn)定量測(cè)量的陰極熒光分析系統(tǒng)SEM-CL

        • 300μm直徑的視場(chǎng)

        • 優(yōu)于10nm的空間分辨率

        • 10ps的時(shí)間分辨率

        • Schottky場(chǎng)發(fā)射槍(連續(xù)系統(tǒng))和皮秒脈沖光電槍(時(shí)間分辨模式)

        • 樣品溫度范圍:20K-300K,位移精度1nm

        高性能光學(xué)與SEM系統(tǒng):

        簡(jiǎn)單易用,大視野,高分辨

        Attolight SEM-CL系統(tǒng)自帶有集成了光鏡的掃描電子顯微鏡(10nm空間分辨率)。光鏡被嵌入在掃描電鏡的電子物鏡,使兩者的視場(chǎng)相互匹配。獲取陰極熒光圖從未如此簡(jiǎn)單:無(wú)需調(diào)準(zhǔn)光路,光鏡的存在幫助完成了樣品定位。系統(tǒng)經(jīng)過優(yōu)化,在不犧牲掃描電鏡性能的同時(shí)獲得了優(yōu)越的陰極熒光性能。它提供了一個(gè)優(yōu)秀的光學(xué)光圈 (f/0.5),和在整個(gè)視場(chǎng)范圍內(nèi)恒定的高光子收集效率。同時(shí),它工作在低電子束的能量范圍內(nèi) (3-10kV),可獲得更高分辨的陰極熒光圖。

        Schottky場(chǎng)發(fā)射電子槍和皮秒脈沖光電子槍:

        連續(xù)工作模式和時(shí)間分辨工作模式

        電子槍類型是決定電鏡性能的重要參數(shù)。attolight SEM-CL采用特殊設(shè)計(jì)的肖特基(Schottky)場(chǎng)發(fā)射電子槍,提供高亮度高相干的電子束,在樣品上產(chǎn)生的熒光空間分辨率好于10nm。

        Attolight SEM-CL系統(tǒng)同時(shí)具有時(shí)間分辨選項(xiàng)的陰極熒光分析系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)10ps時(shí)間分辨率。時(shí)間分辨的陰極熒光分析系統(tǒng)將是研究光電材料載流子動(dòng)力學(xué)和壽命的**工具。

        定量測(cè)量陰極熒光發(fā)光

        Attolight SEM-CL系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)定量測(cè)量不同樣品的陰極熒光發(fā)光。受益于獨(dú)特的設(shè)計(jì),它能夠甄別并發(fā)現(xiàn)超痕量雜質(zhì),以及某些在其他成像模式下不可見的晶體缺陷的能力,為研究及開發(fā)半導(dǎo)體材料、熒光粉、陶瓷、巖石和玻璃提供了新的可能。

        工作模式

        • 光學(xué)顯微鏡成像

        • 陰極熒光測(cè)繪(多色,單色和高光譜)

        • 二次電子測(cè)繪

        • 時(shí)間分辨陰極熒光(時(shí)間分辨選項(xiàng))

        • 二次電子和陰極熒光同步測(cè)繪

        部分測(cè)試數(shù)據(jù)

        時(shí)間和光譜分辨的氮化硼陰極熒光

        ZnO納米線上不同區(qū)域的熒光壽命研究

        納米結(jié)構(gòu)在不同波長(zhǎng)下的熒光發(fā)射區(qū)域變化

        晶體缺陷研究(GaN晶體的堆垛層錯(cuò)觀測(cè))

        GaN表面TD觀測(cè)

        太陽(yáng)能板表面TiO2納米顆粒觀測(cè)

        ZnO納米帶。CL圖像(左)的獲取不影響二次電子(右)的探測(cè)

        陰極熒光是探測(cè)GaN中線位錯(cuò)密度的理想工具(左)。由于其附近的非輻射復(fù)合,它們?cè)贑L圖中顯示為暗點(diǎn)。同樣的區(qū)域通過二次電子掃描無(wú)法識(shí)別任何線位錯(cuò)(右)。

        ZnO納米線-陰極熒光光譜分析

        量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié) - 陰極熒光光譜測(cè)量

        金剛石 - 陰極熒光光譜分析

        光伏材料 - 陰極熒光光譜測(cè)量

        創(chuàng)新點(diǎn)

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        產(chǎn)品質(zhì)量

        10分

        售后服務(wù)

        10分

        易用性

        10分

        性價(jià)比

        10分
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