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        多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)
        多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)

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        多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng)

        ——眼見為實:讓磁學測試可視化!

        致真精密儀器(青島)有限公司生產(chǎn)的多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統(tǒng),以自主設(shè)計的光路結(jié)構(gòu)及奧林巴斯、索萊博光電元件為基礎(chǔ)制造,適用于磁性材料/ 自旋電子器件的磁疇成像和動力學研究。

        ★ 多功能探針臺,能夠提供面內(nèi)、垂直磁場及多對直流/ 高頻探針- 磁光成像與自旋輸運測試**結(jié)合!

        高達1.8T 垂直磁場,1 T 面內(nèi)磁場,4K-800K 變溫,可用于硬磁材料成像研究。

        多功能控制系統(tǒng)

        測試信號控制

        - 垂直/ 面內(nèi)磁場/ 電流/ 微波等多路信號 μs 級別同步施加;

        - 各信號的波形、幅度、頻率、相對延時等參數(shù)輕松調(diào)節(jié)。

        圖像處理

        - 實時作差消背底噪聲;

        - 自動糾正震動漂移等。

        信號解析

        - 電流、磁場測試信號的實時顯示;

        - 基于克爾圖像分析,對樣品局域 (300 nm) 或全局做磁滯回線掃描。

        磁場探針臺

        面內(nèi)磁場

        高達1 T,反應(yīng)速度50 ms,精確度0.1 mT。

        三路垂直磁鐵任意切換

        磁場1:高達1.8 T,反應(yīng)速度50 ms,精確度0.1 mT;

        磁場2:高達30 mT,反應(yīng)速度50 μs,精確度0.01 mT;

        磁場3:高達50 mT,反應(yīng)速度1 μs, 精確度0.01 mT;

        可配置6 個直流/ 高頻探針,配置10 V,20 MHz任意波形信號源。

        成像效果

        克爾成像分辨率300 nm (100 倍物鏡);

        視野:1.2 mm×1 mm (5 倍物鏡);

        能檢測2 個原子層薄膜的磁性變化。

        CoFeB(1.3 nm)/W(0.2)/CoFeB(0.5) 薄膜中的迷宮疇

        圖像處理

        以任意圖像為背底,實時作差消噪聲;

        圖像漂移校正,自動添加比例尺等功能。

        CoFeB(20 nm) 薄膜中,

        [ 面內(nèi)磁場20mT] 驅(qū)動磁疇翻轉(zhuǎn)

        CoTb 亞鐵磁微米線中SOT 驅(qū)動的磁性翻轉(zhuǎn)

        CoFeB/W/CoFeB

        薄膜中的微米大小的磁泡

        200 nm 寬的Ta/CoFeB/MgO 線中,

        [120 mT, 5 μs] 磁場脈沖驅(qū)動疇壁移動

        其他功能

        分析全局或者局部 (300 nm) 克爾圖像,獲得磁滯回線;

        磁滯回線的橫軸可以為面內(nèi)、垂直磁場或者電流等任意激勵信號;

        可配置變溫系統(tǒng):4K-800K 溫度可調(diào);

        搭配ST-FMR,二次諧波等測試系統(tǒng)和軟件;

        預留各種接口,可根據(jù)實驗需求自主改裝。

        應(yīng)用案例

        ■ 局部磁本征參數(shù)表征

        克爾顯微鏡有一套表征幾乎所有磁學本征參數(shù)的方法。與其它表征方法相比,優(yōu)勢是可以進行微小區(qū)域內(nèi)(300 nm) 的局部性質(zhì)表征,為各種磁性調(diào)控實驗 (如輻照、壓控、光控磁)、以及性質(zhì)不均一的材料表征提供了可能性。

        局部飽和磁化強度MS表征

        由于偶極作用,磁疇壁在靠近時會相互排斥。通過觀察不同磁場下疇壁的距離,可以提取局部區(qū)域的飽和磁化強度MS。此方法由巴黎- 薩克雷大學Nicolas Vernier 教授(本公司技術(shù)顧問)在2014 年首先提出并驗證。與VSM 測量結(jié)果得到良好吻合[1]

        局部各向異性能 K 的表征

        通過分析局域克爾圖像明暗變化,可以獲得磁滯回線,從而提取局部區(qū)域等效各向異性場強度。

        海森堡交換作用常數(shù)Aex

        用我們的磁場“自定義波形”功能,將樣品震蕩退磁,再將得到的迷宮疇圖片進行傅里葉變換,能夠精確得知磁疇寬度,從而提取海森堡交換作用剛度[2]。

        退磁狀態(tài)下的薄膜材料的磁疇結(jié)構(gòu)

        Dzyaloshinskii-Moriya 作用( DMI) 的表征

        利用面內(nèi)磁場和垂直磁場共同作用下的磁疇壁非對稱性擴張,能夠測量薄膜材料的DMI 作用強度?;诖丝钤O(shè)備的得到的成果發(fā)表在Nanoscale 雜志[3]。

        參考文獻:

        [1] Yu Zhang et al. Phys. Rev. Appl. 9, 064027 (2018).

        [2] M. Yamanouchi et al., IEEE Magn. Lett. 2, 3000304 (2011).

        [3] Anni Cao et al., Nanoscale 10, 12062 (2018).


        ■ 磁疇壁動力學研究

        磁場、電流或者其它激勵下磁疇壁的移動速度測量

        方法:施加幅度為B, 寬度為t 的磁場/ 電流脈沖,在脈沖

        前后分別拍攝克爾圖像并作差,獲得疇壁移動距離d,則速

        度v=d/t。

        備注:有限視野范圍內(nèi),超快疇壁運動的測量需要超短信

        號脈沖。本系統(tǒng)配置的 μs 反應(yīng)速度的磁場可實現(xiàn)200m/s

        疇壁速度的測量。

        10ms 力波磁場脈沖

        4 μs 超快磁場脈沖

        磁疇壁張力效應(yīng)的觀測

        利用微秒級別超快磁場脈沖,可在微小樣品中創(chuàng)造出磁泡。利用此款高分辨率克爾顯微鏡,**觀察到了磁疇壁在自身張力作用下的自發(fā)收縮過程[1-3]

        磁疇壁Hall bar 處的釘扎作用

        利用磁場脈沖,我們精確控制磁疇壁在納米線中的位置。觀察磁疇壁的釘扎過程并測量解釘扎磁場[1]

        參考文獻:

        [1] Xueying Zhang et al., Phys. Rev. Appl. 9, 024032 (2018).

        [2] Xueying Zhang et al. Nanotechnology 29, 365502 (2018).

        [3] Anni Cao et al., IEEE Magn. Lett. 9, 1 (2018).


        ■ 自旋輸運性質(zhì)測試+成像

        STT 電流驅(qū)動的磁疇壁運動

        通過配備的探針和主控系統(tǒng)的任意波形發(fā)生器,可向樣品施加50 ns–s 級別的方波,觀察磁疇壁運動并測量速度。

        STT 電流與垂直磁場共同作用下的磁疇壁運動

        在某些材料中,無法觀測到純電流驅(qū)動的磁疇壁運動。這時,可以利用此設(shè)備μs 級別的超快磁場脈沖與電流同步,觀測垂直磁場+ 電流共同驅(qū)動的疇壁運動,從而解析多種物理效應(yīng),如重金屬/ 鐵磁體系的自旋極化率由于自旋散射降低的效應(yīng)[1]。

        微秒級精確同步的磁場和電流方波脈沖

        電流與面內(nèi)磁場共同作用下的磁疇壁運動

        Hall 自旋流與面內(nèi)磁場共同作用,誘導磁矩翻轉(zhuǎn),即所謂的SOT 翻轉(zhuǎn)。本設(shè)備配置的面內(nèi)磁場和電學測試系統(tǒng),不但可以實現(xiàn)這個過程的電學測試,還可以利用相機與信號采集卡同步的功能,逐點解析翻轉(zhuǎn)曲線對應(yīng)的磁疇狀態(tài)[2]

        參考文獻:

        [1] Xueying Zhang et al., Phys. Rev. Appl. 11, 054041 (2019).

        [2] Xiaoxuan Zhao et al., Nanotechnology 30, 335707 (2019).

        更多應(yīng)用案例,請您致電 010-85120277/78/79/80 或?qū)懶胖?/span> info@qd-********* 獲取。

        測試數(shù)據(jù)

        1. 檢測磁性材料質(zhì)量

        MgO/Co/Pt 樣品:

        MgO 晶格錯位導致的Co 薄膜缺陷。

        在微小磁場作用下,缺陷周圍即出現(xiàn)磁性翻轉(zhuǎn)。

        質(zhì)量不好磁性薄膜,

        磁性翻轉(zhuǎn)過程中出現(xiàn)雪花狀磁疇。

        質(zhì)量優(yōu)良的磁性薄膜,

        磁疇結(jié)構(gòu)均勻,邊緣光滑。

        2. 檢測缺陷位置

        缺陷處,磁疇壁運動變形,形成釘扎效。利用高分辨率物鏡,可以直接觀察缺陷位置(紅圈)。

        3. 自旋電子器件損傷檢測

        自旋電子器件中,在微加工過程中,樣品邊緣出現(xiàn)損傷,導致在磁場作用下穩(wěn)定性下降,邊緣首先出現(xiàn)翻轉(zhuǎn)[1]。

        4. 解析磁滯回線結(jié)果

        磁光克爾顯微鏡由于具有空間分辨優(yōu)勢,可以解析磁滯回線對應(yīng)的磁疇狀態(tài)。如右圖,由于偶極作用比各向異性占優(yōu)勢,樣品出現(xiàn)自發(fā)退磁。

        參考文獻:

        [1] Yu Zhang et al. Phys. Rev. Appl. 9, 064027 (2018).

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        10分

        性價比

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