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            新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐
            新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐

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            型號(hào)

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            產(chǎn)地

            日本

            樣本

            暫無
            量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司

            會(huì)員

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            第2年

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            新一代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ

            Quantum Design Japan公司推出的激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)傳承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先進(jìn)設(shè)計(jì)理念,新一代高性能激光浮區(qū)爐(型號(hào):LFZ-2kW)具有更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能,將浮區(qū)法晶體生長(zhǎng)技術(shù)推向一個(gè)全新的高度!

            應(yīng)用領(lǐng)域

            可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作。

            激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)可廣泛用于凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科領(lǐng)域相關(guān)單晶材料制備,尤其適合高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作,跟傳統(tǒng)的激光浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)相比,Quantum Design公司推出的新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì):

            采用全新五束激光設(shè)計(jì),確保熔區(qū)能量分布更加均勻

            更加科學(xué)的激光光斑優(yōu)化方案,有助于降低晶體生長(zhǎng)過程中的熱應(yīng)力

            采用了獨(dú)特的實(shí)時(shí)溫度集成控制系統(tǒng)

            RIKEN(CEMS)設(shè)計(jì)的五束激光發(fā)生器原型機(jī)實(shí)物

            新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù):

            加熱控制加熱類型5束激光
            激光功率2KW
            熔區(qū)溫度2700℃ ~ 3000℃*
            測(cè)溫范圍1000℃ ~ 2700℃
            溫度穩(wěn)定性+/-1℃
            晶體生長(zhǎng)控制 晶體生長(zhǎng)設(shè)計(jì)長(zhǎng)度可達(dá)150mm*
            晶體生長(zhǎng)設(shè)計(jì)直徑可達(dá)8mm*
            晶體生長(zhǎng)速度/轉(zhuǎn)速可達(dá) 300mm/hr; 100rpm
            樣品腔可施加壓力可達(dá)10bar
            樣品腔氣氛多種氣路(O2/Ar/混合氣等)可供選配
            晶體生長(zhǎng)監(jiān)控高清攝像頭
            晶體生長(zhǎng)控制PC控制

            *具體取決于材料及實(shí)驗(yàn)條件

            應(yīng)用案例

            采用新一代激光浮區(qū)法單晶爐系統(tǒng)生長(zhǎng)出的部分單晶體應(yīng)用案例:

            Ruby

            Dy2Ti2O7

            BaTiO3

            Sr2RuO4

            SmB6

            Ba2Co2Fe12O22

            Y3Fe5O12

            * 以上單晶圖片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供

            用戶單位

            東京大學(xué)

            日本國(guó)立材料研究所

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            10分

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