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INSTEMS系列為用戶提供了7種原位TEM實(shí)驗(yàn)平臺。其中包含三種單外場施加平臺，三種雙外場耦合平臺和一種三外場耦合平臺。三種單外場產(chǎn)品為INSTEMS-M（力學(xué)加載）、INSTEMS-E（電學(xué)加載）和INSTEMS-T（熱場加載）；三種雙外場耦合產(chǎn)品為INSTEMS-ME（力電耦合）、INSTEMS-TE（熱電耦合）和INSTEMS-MT（力熱耦合）；一種三外場耦合產(chǎn)品為INSTEMS-MET（力熱電耦合）。

產(chǎn)品介紹：

INSTEMS-TE可以實(shí)現(xiàn)多種模式的電學(xué)施加和高精度的電學(xué)測量。在此基礎(chǔ)上，通過選擇單一熱源或相互獨(dú)立的雙熱源模式，可實(shí)現(xiàn)均勻熱場或梯度熱場的施加。這一獨(dú)特優(yōu)勢使該產(chǎn)品不僅滿足傳統(tǒng)熱學(xué)和電學(xué)領(lǐng)域，也滿足熱電領(lǐng)域的研究需求。

突出優(yōu)勢：

1、多種力學(xué)加載模式

拉伸/壓縮/壓痕/彎曲/沖擊/蠕變/疲勞

自動/手動/循環(huán)加載

牛頓級驅(qū)動器(> 100 mN)

pm級驅(qū)動控制

2、多種力學(xué)加載模式

拉伸/壓縮/壓痕/彎曲/沖擊/蠕變/疲勞

自動/手動/循環(huán)加載

牛頓級驅(qū)動器(> 100 mN)

pm級驅(qū)動控制

3、雙軸傾轉(zhuǎn)

α 軸傾轉(zhuǎn)**至±20°

β 軸傾轉(zhuǎn)**至±10°

4、穩(wěn)定的原子尺度成像

極限樣品漂移＜50 pm/s

空間分辨率≤0.1 nm

技術(shù)指標(biāo)：

應(yīng)用領(lǐng)域：

熱電材料

半導(dǎo)體

相變存儲

電池可靠性

失效分析

介電材料

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