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            透射電子顯微鏡原位-原子尺度雙傾力熱電集成系統(tǒng)
            透射電子顯微鏡原位-原子尺度雙傾力熱電集成系統(tǒng)

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            北京

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            百實(shí)創(chuàng)(北京)科技有限公司

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            關(guān)于INSTEMS系統(tǒng)

            原位透射電子顯微分析方法是實(shí)時(shí)觀測(cè)和記錄位于電鏡內(nèi)部的樣品對(duì)于不同外場(chǎng)如力、熱、電等激勵(lì)信號(hào)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)過(guò)程的方法,是當(dāng)前物質(zhì)結(jié)構(gòu)表征科學(xué)中**穎和**發(fā)展空間的研究領(lǐng)域之一。受限于透射電鏡樣品室狹小的空間及特殊的結(jié)構(gòu),目前商業(yè)化的透射電鏡原位力學(xué)樣品桿多采用探針式力場(chǎng)加載,無(wú)法實(shí)現(xiàn)雙軸傾轉(zhuǎn),大大限制了研究者從原子尺度下原位研究材料的力學(xué)行為及變形機(jī)制。針對(duì)這一世界性技術(shù)難題,百實(shí)創(chuàng)公司專(zhuān)項(xiàng)開(kāi)發(fā)的INSTEMS系列透射電鏡用原位原子尺度雙軸傾轉(zhuǎn)力、熱、電一體化綜合測(cè)試系統(tǒng)擁有獨(dú)特創(chuàng)新設(shè)計(jì)的MEMS芯片以及與之相匹配的微驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),保證了樣品在透射電鏡毫米尺度空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)力場(chǎng)與熱場(chǎng)或電場(chǎng)耦合加載條件下,同時(shí)具備大角度正交雙軸傾轉(zhuǎn)功能,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)在多場(chǎng)耦合加載下材料原子尺度顯微結(jié)構(gòu)及其性能演化的原位觀察與記錄。該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)1200℃高溫下力熱耦合加載,**驅(qū)動(dòng)力大于100mN,驅(qū)動(dòng)行程大于4μm,*小驅(qū)動(dòng)步長(zhǎng)低于0.5nm,達(dá)到國(guó)際**水平,極大的擴(kuò)展了透射電子顯微鏡在材料科學(xué)原位研究領(lǐng)域的應(yīng)用。

            本系統(tǒng)與各大品牌電鏡有優(yōu)異的機(jī)械及電磁兼容性,穩(wěn)定性高,保證電鏡原有的分辨能力。整合了獨(dú)特創(chuàng)新設(shè)計(jì)的MEMS芯片與微型驅(qū)動(dòng)器的高集成Mini-lab原位樣品搭載平臺(tái),保證了不同形狀、性質(zhì)的樣品在TEM中有穩(wěn)定的力、熱、電加載實(shí)驗(yàn)環(huán)境,并能精確控制參數(shù)變量;通過(guò)更換不同Mini-lab實(shí)驗(yàn)臺(tái),可以靈活的實(shí)現(xiàn)力、熱、電單場(chǎng)或任意兩場(chǎng)耦合加載,并能做到互不干擾。精密的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)保證樣品能在場(chǎng)加載條件下實(shí)現(xiàn)大角度雙傾,結(jié)合皮米級(jí)超高精度控制系統(tǒng),確保顯示的原子像無(wú)抖動(dòng)、分辨率高。功能強(qiáng)大,操作便捷的控制軟件提供了豐富的加載模式,并實(shí)時(shí)收集與處理數(shù)據(jù),滿足用戶不同條件下的實(shí)驗(yàn)與測(cè)試設(shè)計(jì)要求。

            可實(shí)現(xiàn)多場(chǎng)耦合加載:

            ISTEMS系列產(chǎn)品具有高度集成的可定制化微型實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。通過(guò)更換不同功能的微型實(shí)驗(yàn)臺(tái)(Mini-lab),該系列可靈活施加力、熱、電等多種外場(chǎng)組合。

            Mini-lab獨(dú)特的MEMS芯片設(shè)計(jì)和新穎的集成策略解決了小區(qū)域多場(chǎng)耦合加載兼容性難題??瑟?dú)立控制多場(chǎng)加載,避免相互干擾。

            原子尺度分辨率:

            INSTEMS系列結(jié)構(gòu)緊湊的微型實(shí)驗(yàn)臺(tái)和特殊設(shè)計(jì)的β軸傾轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)**融合了多場(chǎng)耦合施加和雙軸傾轉(zhuǎn)功能,可輕松實(shí)現(xiàn)原子尺度分辨的動(dòng)態(tài)觀察。

            高精度控制與測(cè)量:

            超靈敏微型驅(qū)動(dòng)器

            穩(wěn)定的四電極MEMS芯片

            可靠的電學(xué)連接

            無(wú)干擾的電路布局

            強(qiáng)大的高精度多通道源表

            確保INSTEMS系列產(chǎn)品可同時(shí)實(shí)現(xiàn)高精度加熱、pm級(jí)驅(qū)動(dòng)控制和pA級(jí)電信號(hào)測(cè)量。

            適用范圍極寬、功能易于擴(kuò)展:

            INSTEMS系列適用于多種形態(tài)尺寸的材料(適用于塊體以及一維、二維納米材料);

            可實(shí)現(xiàn)多種類(lèi)型的多場(chǎng)耦合施加(熱--電耦合);加載靈活,可對(duì)樣品進(jìn)行拉伸加載、壓縮加載、彎曲加載,也可進(jìn)行納米壓痕實(shí)驗(yàn);同時(shí)可根據(jù)用戶需求進(jìn)行功能擴(kuò)展。適用于大部分固體無(wú)磁材料的研究。

            關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)與參數(shù):

            熱場(chǎng)指標(biāo)

            溫度范圍

            室溫~1200℃*

            加熱速率

            >10000℃/s

            溫度精度

            ≥98%

            測(cè)溫方式

            四電極法

            EDS兼容性

            力場(chǎng)指標(biāo)

            驅(qū)動(dòng)精度

            <500pm

            **驅(qū)動(dòng)力

            >100mN

            **位移

            4μm

            電場(chǎng)指標(biāo)

            **輸出電壓

            ±50V

            電流測(cè)量范圍

            1pA-1A*

            電壓測(cè)量范圍

            100nV-50V

            雙傾指標(biāo)

            α角傾轉(zhuǎn)范圍

            ±25°

            β角傾轉(zhuǎn)范圍

            ±25°*

            驅(qū)動(dòng)精度

            <0.1°

            分辨率

            極限穩(wěn)定性

            <50pm/s*

            空間分辨率

            ≤0.1nm*

            * 列出參數(shù)取決于Mini-lab型號(hào)與電鏡狀態(tài)。

            硬件說(shuō)明:樣品桿部分包含雙軸傾轉(zhuǎn)樣品桿與配套的Mini-lab實(shí)驗(yàn)臺(tái),MET型號(hào)樣品桿可兼容所有類(lèi)型的Mini-lab實(shí)驗(yàn)臺(tái)。

            軟件控制:力、熱、電三場(chǎng)都具有豐富的加載模式可供選擇:力場(chǎng)可選擇單向拉/壓加載或循環(huán)加載;電場(chǎng)擁有7種可供選擇的波形加載;熱場(chǎng)可自由設(shè)置溫控程序。

            應(yīng)用范圍

            1. 高溫環(huán)境下的力學(xué)行為

            在力場(chǎng)與熱場(chǎng)條件下原位實(shí)時(shí)觀察材料原子像,并能獲取成分信息。可應(yīng)用于加速蠕變、高溫相變、元素?cái)U(kuò)散、高溫塑性變形、再結(jié)晶、析出相與位錯(cuò)的關(guān)系等方面的研究。

            原位原子尺度研究高溫合金相在高溫下(1150℃)的形變機(jī)理

            原位觀察超級(jí)合金在400℃與750℃下塑性變形過(guò)程

            2. 高溫環(huán)境下的電學(xué)行為

            在熱場(chǎng)與電場(chǎng)條件下原位實(shí)時(shí)觀察材料原子像,并獲取電場(chǎng)數(shù)據(jù)??蓱?yīng)用于熱電材料、半導(dǎo)體、相變存儲(chǔ)、電場(chǎng)可靠性分析、介電材料等領(lǐng)域的研究。

            熱電耦合條件下SnSe原位原子尺度失效分析

            3. 力與電場(chǎng)的交互行為

            在力場(chǎng)與電場(chǎng)條件下原位實(shí)時(shí)觀察材料原子像,測(cè)量和控制樣品電信號(hào)。可應(yīng)用于壓電材料、鐵電材料、鋰離子電池、柔性電子器件等領(lǐng)域的研究。

            4. 力場(chǎng)、熱場(chǎng)、電場(chǎng)單場(chǎng)條件下的材料組織變化

            可定量的控制單力場(chǎng)、熱場(chǎng)、電場(chǎng)施加于樣品,并實(shí)時(shí)原位的觀察樣品原子像及成分信息。

            高熵合金900℃條件下觀察元素?cái)U(kuò)散

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