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程序升溫原位氣體反應(yīng)系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)的樣品臺(tái)基礎(chǔ)上搭建可視化NONA-LAB和四電極反饋控溫模塊,在透射電鏡中實(shí)現(xiàn)樣品的氣氛環(huán)境皮米級(jí)高分辨成像和精準(zhǔn)、均勻、安全控溫,溫度精度優(yōu)于±0.1K,**溫度1000℃,**氣壓2000mBar。通過精確的熱場(chǎng)模擬及獨(dú)特的芯片設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)無漂移加熱過程,可在加熱升溫過程中實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)觀測(cè)成像。原位氣氛反應(yīng)納流控安全管理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)納升級(jí)別流體引入,高效精確控制氣體池中的流體的流速流量,*低為10nL/s,引入流體在極其微量級(jí)別,即使在芯片窗體薄膜破裂的情況下,也不會(huì)有大量氣體滲漏,使得電鏡的安全得以保證,實(shí)驗(yàn)不受影響可持續(xù)進(jìn)行。
獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
●原子級(jí)分辨率
a.超薄氣夾層(100-200nm)
b.超薄氮化硅膜(可達(dá)10nm)
●溫控精確
a.四電極形成反饋控制系統(tǒng),控溫準(zhǔn)
b.觀測(cè)區(qū)域全覆蓋,升溫快且均勻
●安全性高
a.防腐多路精確控制氣體混合
b.納流控系統(tǒng)防滲漏
系統(tǒng)規(guī)格
溫度范圍 | RT~1000℃ |
氣體模式 | 靜態(tài)或流體 |
窗口膜厚 | 10nm, 25nm, 50nm |
氣體池厚度 | 100~200nm |
芯片管路 | 一進(jìn)一出 |
外部管路 | 1-4進(jìn)1出 |
壓力范圍 | 0~2000mBar |
適用氣氛 | H2, He, N2, O2, Ar, H2O, CO,CO |
溫度精度 | ≥95% |
加熱均勻性 | ≥99.5% |
加熱電極數(shù) | 4 |
(HR)TEM/STEM | √ |
(HR)EDS/EELS | √ |
適用電鏡 | FEI, JEOL, Hitachi |
適用極靴 | ST,XT,T,BioT,HRP,HTP,CRP |
應(yīng)用實(shí)例
PbSe納米粒子暴露在少量空氣中形貌變化原位觀測(cè)X. Peng et al., In Situ TEM Study of the Degradation of PbSe Nanocrystals in Air. Chemistry of Materials 31, 190-199 (2019).
售后服務(wù)
1、設(shè)備運(yùn)抵現(xiàn)場(chǎng),我方技術(shù)人員同時(shí)到達(dá),一同開箱檢驗(yàn),并提供有關(guān)設(shè)備的搬運(yùn)、倉儲(chǔ)、注意事項(xiàng)的技術(shù)咨詢服務(wù);
2、設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試階段,我方技術(shù)人員到現(xiàn)場(chǎng)協(xié)助安裝調(diào)試,及時(shí)處理安裝過程中所遇到的問題,確保系統(tǒng)成功使用;
3、合同要求提供產(chǎn)品使用、維護(hù)說明書,設(shè)備的原理圖、接線圖、施工圖等技術(shù)資料及備品。建立售后跟蹤,及時(shí)了解設(shè)備運(yùn)行情況、接受用戶的報(bào)修、投訴、以便及時(shí)安排技術(shù)人員解答或趕赴現(xiàn)場(chǎng);
4、加強(qiáng)與用戶的聯(lián)系,重視用戶的意見,制定各用戶的質(zhì)量跟蹤信息卡制度,健全用戶檔案,并且對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行回訪,了解設(shè)備的運(yùn)行情況,以確保用戶長期安全可靠地使用我公司的設(shè)備。
5、公司儲(chǔ)存充足的零配件,隨時(shí)滿足客戶單位對(duì)備品備件的要求。
暫無數(shù)據(jù)!