參考價(jià)格
60-70萬(wàn)元型號(hào)
PMST-3500V品牌
普賽斯儀表產(chǎn)地
武漢樣本
暫無(wú)誤差率:
0.1%分辨率:
100pA重現(xiàn)性:
無(wú)儀器原理:
圖像分析分散方式:
數(shù)字測(cè)量時(shí)間:
s測(cè)量范圍:
漏電流測(cè)試范圍1nA~100mA看了IGBT靜態(tài)測(cè)試設(shè)備的用戶又看了
虛擬號(hào)將在 180 秒后失效
使用微信掃碼撥號(hào)
IGBT簡(jiǎn)介:
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見(jiàn)的功率器件,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中,如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”,被國(guó)家列為重點(diǎn)研究對(duì)象。
IGBT測(cè)試難點(diǎn):
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。
2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。
3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大,測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣,且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。
4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng),所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試,用于評(píng)估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。
6、IGBT開(kāi)關(guān)特性非常重要,需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。
IGBT靜態(tài)測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè); 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可以完成多項(xiàng)參數(shù)測(cè)試,如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。
IGBT靜態(tài)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場(chǎng)景。
數(shù)字源表測(cè)試氣體傳感器方案利用數(shù)字源表源(SMU)設(shè)備進(jìn)行氣體傳感器電性能測(cè)試 I-V測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件(DUT)施加電壓或電流,然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)。根據(jù)待測(cè)器件(DUT)的不同,信號(hào)電平可能相
2022-11-04