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        公斤級(jí)粉體原子層沉積鍍膜系統(tǒng)
        公斤級(jí)粉體原子層沉積鍍膜系統(tǒng)

        參考價(jià)格

        面議

        型號(hào)

        G1000

        品牌

        韞茂科技

        產(chǎn)地

        福建

        樣本

        暫無
        廈門韞茂科技有限公司

        高級(jí)會(huì)員

        |

        第4年

        |

        生產(chǎn)商

        工商已核實(shí)

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        核心參數(shù)
        • 全容積(m3):

          /
        • 能耗:

          /
        • 處理量:

          1-100Kg
        • 物料類型:

          粉狀
        • 工作原理:

          其他
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        國內(nèi)高端粉末式原子層沉積系統(tǒng) GM系列 



        4.jpg

        原子層沉積(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。 

        5.jpg

        產(chǎn)品描述

        廈門韞茂科技公司的GM系列自動(dòng)粉末原子層沉積設(shè)備它可以在微納米粉體上實(shí)現(xiàn)均勻可控的原子層沉積或分子層沉積生長,GM1000的反應(yīng)室可自動(dòng)運(yùn)行ALD(原子層沉積)或MLD(分子層沉積),設(shè)備配有獨(dú)立控制的300℃完整加熱反應(yīng)腔室系統(tǒng),保證工藝溫度均勻。該系統(tǒng)具有**粉末樣品桶、動(dòng)態(tài)粉末流化機(jī)構(gòu)、全自動(dòng)溫度控制、ALD前驅(qū)體源鋼瓶、自動(dòng)溫度控制閥、工業(yè)級(jí)安全控制,以及現(xiàn)場(chǎng)RGA、QCM、臭氧發(fā)生器、手套箱等設(shè)計(jì)選項(xiàng)。是先進(jìn)能源材料、催化劑材料、新型納米材料研究與應(yīng)用的**研發(fā)工具。


        主要技術(shù)參數(shù)

        G100 Powder ALD 

        技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (ZrO2, LiNbO3, Al2O3, LPT, LiS等制備)

        樣品**裝載量 Capacity100g(可根據(jù)需求定制, 也可放置3D基體及多片平片
        樣品反應(yīng)溫度 HeatingRT-300℃
        前驅(qū)體 Max Precursor**可包括2組反應(yīng)氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體, Max 2 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 
        前驅(qū)體加熱**溫度 Max Precursor Heating RT-200℃
        包覆均一性 Uniformity<3%
        成膜速率 Deposition Rate1-2A/Cycle (Al2O3)
        臭氧發(fā)生器Ozone Generator可選配,生產(chǎn)效率15g/h
        人機(jī)界面 HMI全自動(dòng)化人機(jī)操作界面
        安全Safety工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全互鎖Industry Safety Interlock,報(bào)警Alarm,EMO


        G1000 Powder ALD 

        技術(shù)參數(shù) Technical Specifications (ZrO2, LiNbO3, Al2O3, LPT, LiS等制備)

        樣品**裝載量 Capacity1000g(可根據(jù)需求定制, 也可放置3D基體及多片平片
        樣品反應(yīng)溫度 HeatingRT-300℃
        前驅(qū)體 Max Precursor**可包括2組反應(yīng)氣體 8組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體, Max 2 Gas and 8 Liquid/Solid Precursors 
        前驅(qū)體加熱**溫度 Max Precursor Heating RT-300℃
        包覆均一性 Uniformity<3%
        成膜速率 Deposition Rate1-2A/Cycle (Al2O3)
        臭氧發(fā)生器Ozone Generator可選配,生產(chǎn)效率15g/h
        人機(jī)界面 HMI全自動(dòng)化人機(jī)操作界面
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        創(chuàng)新點(diǎn)

        可實(shí)現(xiàn)高精度納米級(jí)薄膜包覆改性,專門為粉體材料研發(fā)制造,目前已廣泛應(yīng)用于鋰電池正負(fù)極改性/催化劑改性/量子點(diǎn)/熒光粉等領(lǐng)域

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        產(chǎn)品質(zhì)量

        10分

        售后服務(wù)

        10分

        易用性

        10分

        性價(jià)比

        10分
        評(píng)論內(nèi)容
        暫無評(píng)論!
        公司動(dòng)態(tài)
        暫無數(shù)據(jù)!
        技術(shù)文章
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